| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| §1.1 太赫兹波与太赫兹技术的发展 | 第11-17页 |
| §1.2 太赫兹时域谱技术及其对半导体材料表征应用 | 第17-22页 |
| §1.3 自旋电子学 | 第22-27页 |
| §1.4 铁氮磁性材料研究进展 | 第27-29页 |
| §1.5 论文结构和研究内容 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第二章 GaN薄膜的太赫兹波段介电性质研究 | 第35-57页 |
| 摘要 | 第35页 |
| §2.1 引言 | 第35-37页 |
| §2.2 室温下GaN薄膜的介电性质研究 | 第37-41页 |
| §2.3 GaN薄膜介电性质变温研究 | 第41-51页 |
| §2.4 本章总结 | 第51-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第三章 铁氮化合物磁结构研究 | 第57-75页 |
| 摘要 | 第57页 |
| §3.1 引言 | 第57-63页 |
| §3.1.1 色点群 | 第58-61页 |
| §3.1.2 朗道二级相变及其在顺磁铁磁相变中的应用 | 第61-63页 |
| §3.2 铁氮材料磁结构分析 | 第63-72页 |
| §3.2.1 ε-Fe_3N的磁结构分析 | 第63-66页 |
| §3.2.2 α"-Fe_(16)N_2的磁结构分析 | 第66-69页 |
| §3.2.3 γ'-Fe_4N的磁结构分析 | 第69-72页 |
| §3.3 本章总结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第四章 c面GaN上制备的ε-Fe_3N薄膜性能研究 | 第75-92页 |
| 摘要 | 第75页 |
| §4.1 引言 | 第75-76页 |
| §4.2 ε-Fe_3N薄膜制备研究 | 第76-85页 |
| §4.2.1 GaN上铁薄膜的制备以及性能研究 | 第77-80页 |
| §4.2.2 ε-Fe_3N薄膜氮化条件研究 | 第80-85页 |
| §4.3 ε-Fe_3N薄膜表征与性能研究 | 第85-90页 |
| §4.4 本章总结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第五章 结论与展望 | 第92-94页 |
| §5.1 本论文工作的主要结论 | 第92-93页 |
| §5.2 研究展望 | 第93-94页 |
| 攻读博士期间发表文章 | 第94页 |
| 学术会议和报告 | 第94页 |
| 申请和授权专利 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
