| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| ·电介质材料和MOSFET | 第9-11页 |
| ·电介质材料 | 第9-10页 |
| ·MOSFET的介绍 | 第10-11页 |
| ·高介电系数栅电介质材料 | 第11-20页 |
| ·研究背景 | 第11-13页 |
| ·高介电系数栅介质材料的基本选择要求 | 第13-19页 |
| ·高介电系数栅介质材料的研究现状 | 第19-20页 |
| ·非易失性半导体存储器 | 第20-25页 |
| ·非易失性半导体存储器介绍 | 第20-22页 |
| ·浮栅型非易失性半导体存储器 | 第22-23页 |
| ·电荷俘获型非易失性半导体存储器 | 第23-25页 |
| ·本论文工作的工作意义,目的和内容 | 第25-26页 |
| ·参考文献 | 第26-29页 |
| 第2章 薄膜制备及性能表征 | 第29-38页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第29-33页 |
| ·常见的薄膜制备方法 | 第29-31页 |
| ·脉冲激光沉积系统简介 | 第31-32页 |
| ·脉冲激光沉积用陶瓷靶材的制备 | 第32页 |
| ·硅衬底表面处理 | 第32-33页 |
| ·薄膜结晶温度、形貌和界面微结构表征 | 第33-34页 |
| ·结晶温度测试 | 第33页 |
| ·薄膜形貌和界面微结构表征 | 第33-34页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第34页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第34-37页 |
| ·电极的制备 | 第34-35页 |
| ·电容-频率(C-F)特性 | 第35页 |
| ·电容-电压(C-V)特性 | 第35-36页 |
| ·漏电流-电压(J-V)特性 | 第36-37页 |
| ·参考文献 | 第37-38页 |
| 第3章 TiAl_2O_5纳米晶电荷俘获存储器的制备与性能研究 | 第38-49页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·Ti_(0.2)Al_(0.8)O_x薄膜的热稳定性 | 第38-40页 |
| ·TiAl_2O_5纳米晶电荷俘获存储器的制备 | 第40-42页 |
| ·TiAl_2O_5纳米晶电荷俘获存储器的工作机制 | 第42-47页 |
| ·电荷存储机制 | 第42页 |
| ·电荷的输运机制 | 第42-44页 |
| ·TiAl_2O_5纳米晶电荷俘获存储器的C-V特性 | 第44-46页 |
| ·TiAl_2O_5纳米晶电荷俘获存储器的数据保持特性 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| ·参考文献 | 第48-49页 |
| 第4章 TiAl_2O_5纳米晶电荷俘获存储器的微结构表征和能带结构 | 第49-55页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·TiAl_2O_5纳米晶电荷俘获存储器微观结构表征 | 第49-50页 |
| ·TiAl_2O_5纳米晶电荷俘获存储器的能带结构 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| ·参考文献 | 第54-55页 |
| 第5章 结论与展望 | 第55-57页 |
| ·主要结论 | 第55-56页 |
| ·今后工作的展望 | 第56-57页 |
| Publication list | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
