| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第1章 绪论 | 第6-15页 |
| ·闪存技术发展所面临的挑战及发展方向 | 第6-13页 |
| ·面临的挑战 | 第6-8页 |
| ·发展方向 | 第8-13页 |
| ·论文结构及主要内容 | 第13-15页 |
| 第2章 闪存器件单元模拟 | 第15-24页 |
| ·引言 | 第15-17页 |
| ·65nm NOR闪存标准单元的模拟 | 第17-19页 |
| ·闪存单元中引入high-k材料的模拟 | 第19-21页 |
| ·65nm SONOS的三维模拟 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 基于化学方法制备的金纳米晶浮栅闪存 | 第24-34页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·Au纳米颗粒的化学反应制备 | 第24-26页 |
| ·Au纳米晶阵列的自组装淀积 | 第26-27页 |
| ·Au纳米晶浮栅的存储特性 | 第27-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第4章 基于high-k材料的锗硅异质纳米晶浮栅 | 第34-48页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·基于渐变Ge_(1-x)Si_x异质纳米晶浮栅 | 第35-41页 |
| ·渐变Ge_(1-x)Si_x纳米晶浮栅的工作机理 | 第36-37页 |
| ·渐变Ge_(1-x)Si_x纳米晶浮栅的制备 | 第37-38页 |
| ·渐变Ge_(1-x)Si_x纳米晶浮栅的存储特性 | 第38-41页 |
| ·基于high-k材料的多层Ge/Si纳米晶浮栅 | 第41-46页 |
| ·多层Ge/Si纳米晶浮栅的工作机理 | 第41-42页 |
| ·多层Ge/Si纳米晶浮栅的制备 | 第42-43页 |
| ·多层Ge/Si纳米晶浮栅的存储特性 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 结论与展望 | 第48-51页 |
| ·主要结论 | 第48-49页 |
| ·研究展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第58-59页 |