静电感应器件的研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·静电感应器件简介 | 第9-10页 |
| ·静电感应器件的结构 | 第10-13页 |
| ·静电感应器件的应用 | 第13-15页 |
| 第二章 静电感应器件基本作用理论 | 第15-26页 |
| ·静电感应晶体管(SIT)基本作用理论 | 第15-22页 |
| ·SIT的I-V特性 | 第15页 |
| ·SIT的作用理论 | 第15-22页 |
| ·静电感应晶闸管(SITH)基本作用理论 | 第22-26页 |
| ·SITH的I-V特性 | 第22-23页 |
| ·SITH的作用理论 | 第23-26页 |
| 第三章 SID设计与制造技术 | 第26-52页 |
| ·基本制造参数选取 | 第26-35页 |
| ·材料参数 | 第26-28页 |
| ·结构参数 | 第28-35页 |
| ·版图设计 | 第35-43页 |
| ·浓硼版L1 | 第37-38页 |
| ·淡硼版L2 | 第38-39页 |
| ·染磷版L3 | 第39页 |
| ·外延版L4 | 第39-40页 |
| ·槽版L5、L6、L7 | 第40-41页 |
| ·栅区补硼版L8 | 第41页 |
| ·扩磷版L9 | 第41-42页 |
| ·引线孔版L10 | 第42-43页 |
| ·反刻版L11 | 第43页 |
| ·静电感应晶体管的制造 | 第43-48页 |
| ·材料选取 | 第43页 |
| ·工艺流程设计 | 第43-46页 |
| ·实验结果 | 第46-48页 |
| ·静电感应晶闸管的制造 | 第48-52页 |
| ·材料选取 | 第48页 |
| ·工艺流程设计 | 第48-50页 |
| ·实验结果 | 第50-52页 |
| 第四章 多槽刻蚀工艺 | 第52-62页 |
| ·湿法刻蚀 | 第52-54页 |
| ·电力器件的边缘造型 | 第54-56页 |
| ·耗尽层弯曲 | 第54-55页 |
| ·正角造型 | 第55-56页 |
| ·多槽结构和分步刻槽法 | 第56-62页 |
| ·台面槽刻蚀 | 第57-58页 |
| ·隔断槽刻蚀 | 第58-60页 |
| ·分步刻槽法 | 第60-62页 |
| 第五章 SITH正向阻断态I-V特性物理分析 | 第62-70页 |
| ·器件结构及I-V特性描述 | 第62-63页 |
| ·I-V特性及作用机制分析 | 第63-69页 |
| ·p-i-n结构的I-V特性分析 | 第64-65页 |
| ·SITH的I-V特性分析 | 第65-69页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-71页 |
| 在学期间的研究成果 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
