| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-16页 |
| §1-1 半导体器件的发展 | 第9-10页 |
| §1-2 GaN HEMT /SiC MESFET 器件的优点 | 第10-11页 |
| §1-3 器件广泛用途和研究进展 | 第11-14页 |
| §1-4 半导体器件仍存在的问题 | 第14-15页 |
| §1-5 建模软件的介绍 | 第15页 |
| §1-6 结论 | 第15-16页 |
| 第二章 GaN 器件 I-V 特性和 S 参数的测量 | 第16-19页 |
| §2-1 I-V特性测量 | 第16-18页 |
| §2-2 S 参数与偏置关系的测量 | 第18页 |
| §2-3 结论 | 第18-19页 |
| 第三章 GaN HEMT 器件崩塌效应 | 第19-21页 |
| §3-1 器件崩塌效应原理 | 第19-21页 |
| §3-2 场板对器件电流崩塌效应的作用 | 第21页 |
| 第四章 非线性器件的大信号综合模型 | 第21-32页 |
| §4-1 研究方法 | 第21-22页 |
| §4-2 小信号器件模型参数提取和应用 | 第22-25页 |
| 4-2-1 寄生参数提取方法 | 第23-24页 |
| 4-2-2 本征参数的提取方法 | 第24-25页 |
| 4-2-3 小结 | 第25页 |
| §4-3 大信号等效电路模型 | 第25-32页 |
| 4-3-1 GaN HEMT TQM 模型 | 第26-28页 |
| 4-3-2 改进的 TOM 模型 | 第28-30页 |
| 4-3-3 SiC MESFET 模型 | 第30-32页 |
| 第五章 非线性器件参数的分析 | 第32-34页 |
| §5-1 漏源电流 | 第32页 |
| §5-2 栅电容等参数的分析 | 第32-33页 |
| §5-3 栅正向导通效应和反向击穿效应 | 第33-34页 |
| §5-4 结论 | 第34页 |
| 第六章 建模软件 | 第34-37页 |
| 第七章 模拟结果以及在实际当中的应用 | 第37-49页 |
| §7-1 测试结果 | 第37-39页 |
| §7-2 模拟结果 | 第39-43页 |
| §7-3 功率放大器的设计 | 第43-46页 |
| §7-4 建模过程中发现的问题 | 第46-48页 |
| §7-5 小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文章 | 第50-53页 |
| 附录 A | 第53-55页 |
| 附录 B | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第57页 |