基于衬底驱动的CMOS带隙基准电压源的分析与设计
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| ·研究课题的背景 | 第11-12页 |
| ·课题的国内外研究现状和意义 | 第12-13页 |
| ·本文的结构安排 | 第13-15页 |
| 第2章 带隙基准电压源的理论基础 | 第15-37页 |
| ·带隙基准电压源的基本原理概述 | 第15-18页 |
| ·带隙基准电压源的MOSFET实现 | 第15-16页 |
| ·带隙基准电源的BJT实现 | 第16-18页 |
| ·带隙基准电压源的性能指标 | 第18-20页 |
| ·带隙基准电压源的结构类型 | 第20-35页 |
| ·核心电路的实现方式 | 第20-25页 |
| ·提高电源抑制比的方法 | 第25-27页 |
| ·高阶补偿方法 | 第27-35页 |
| ·器件的CMOS工艺实现 | 第35-37页 |
| 第3章 一种2V电源供电的CMOS带隙基准电压源 | 第37-53页 |
| ·带隙基准电压源的电路结构分析 | 第37-49页 |
| ·核心电路的实现 | 第37-38页 |
| ·运算放大器的设计 | 第38-44页 |
| ·补偿方式的选择 | 第44-46页 |
| ·偏置电路的设计 | 第46-47页 |
| ·启动电路的设计 | 第47-48页 |
| ·整体电路结构图 | 第48-49页 |
| ·仿真验证与分析 | 第49-51页 |
| ·温度特性仿真 | 第49-50页 |
| ·电源抑制比仿真 | 第50页 |
| ·瞬态特性仿真 | 第50-51页 |
| ·电源调整率仿真 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 一种亚1V电源供电的带隙基准电压源 | 第53-64页 |
| ·带隙基准电压源的电路结构分析 | 第53-60页 |
| ·核心电路的实现 | 第53-55页 |
| ·运算放大器的设计 | 第55页 |
| ·补偿方式的选择 | 第55-58页 |
| ·启动电路的设计 | 第58页 |
| ·整体电路结构图 | 第58-60页 |
| ·仿真验证与分析 | 第60-63页 |
| ·温度特性仿真 | 第60-61页 |
| ·电源抑制比仿真 | 第61-62页 |
| ·瞬态特性仿真 | 第62页 |
| ·电源调整率仿真 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 1.本文主要工作总结 | 第64-65页 |
| 2.主要问题和后续工作 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 附录 | 第70-72页 |
| ·V电源供电的CMOS带隙基准电压源参数 | 第70-71页 |
| 2.亚1V带隙基准电压源参数 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72页 |
