直流磁控反应溅射制备ZnO：Ga薄膜及其性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-29页 |
| ·ZnO的结构和性能 | 第11-15页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的光电特性 | 第13-14页 |
| ·ZnO的其他特性 | 第14-15页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| ·直流磁控溅射技术 | 第15-16页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第16-17页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第17-18页 |
| ·分子束外延 | 第18页 |
| ·其他生长方法 | 第18-19页 |
| ·ZnO薄膜的掺杂 | 第19-21页 |
| ·ZnO的本征缺陷 | 第19-20页 |
| ·ZnO的非故意掺杂 | 第20页 |
| ·ZnO的n型掺杂 | 第20-21页 |
| ·ZnO的应用 | 第21-25页 |
| ·太阳能电池 | 第21-22页 |
| ·气敏元件 | 第22页 |
| ·紫外光探测器 | 第22页 |
| ·表面声波器件 | 第22-23页 |
| ·短波光电器件 | 第23-24页 |
| ·其他应用 | 第24-25页 |
| ·各种透明导电薄膜的介绍 | 第25-28页 |
| ·透明导电薄膜的种类及其特点 | 第25-26页 |
| ·In_2O_3透明导电薄膜的介绍 | 第26页 |
| ·SnO_2透明导电薄膜的介绍 | 第26-27页 |
| ·ZnO：Ga透明导电薄膜的介绍 | 第27-28页 |
| ·立题思路 | 第28-29页 |
| 第三章 直流磁控反应溅射系统 | 第29-38页 |
| ·实验设备 | 第29-32页 |
| ·溅射原理 | 第32-35页 |
| ·辉光放电原理 | 第32-33页 |
| ·磁控溅射原理 | 第33-35页 |
| ·实验制备过程 | 第35-38页 |
| ·靶材制备 | 第35页 |
| ·衬底及其清洗 | 第35-36页 |
| ·薄膜制备过程 | 第36页 |
| ·薄膜性能表征 | 第36-38页 |
| 第四章 直流磁控反应溅射制备ZnO：Ga薄膜 | 第38-48页 |
| ·Zno：Ga薄膜形成机理 | 第38-43页 |
| ·ZnO：Ga薄膜形成途径 | 第38-39页 |
| ·非晶衬底上生长ZnO薄膜的模型 | 第39-40页 |
| ·ZnO薄膜择优取向的机理分析 | 第40-43页 |
| ·ZnO：Ga薄膜退火处理 | 第43-47页 |
| ·ZnO薄膜的退火模型 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 ZnO：Ga薄膜的性能研究 | 第48-65页 |
| ·ZnO：Ga薄膜性能研究 | 第48-52页 |
| ·晶体结构分析 | 第48-50页 |
| ·电学性能 | 第50-51页 |
| ·光学性能 | 第51-52页 |
| ·实验参数对ZnO：Ga薄膜的性能影响 | 第52-65页 |
| ·研究思路 | 第52页 |
| ·氩气、氧气流量对ZnO：Ga薄膜性能的影响 | 第52-54页 |
| ·衬底温度对ZnO：Ga薄膜性能的影响 | 第54-58页 |
| ·溅射压强对ZnO：Ga薄膜性能的影响 | 第58-61页 |
| ·溅射功率对ZnO：Ga薄膜性能的影响 | 第61-62页 |
| ·靶间距对ZnO：Ga薄膜性能的影响 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第74页 |
