| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 符号说明 | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| CONTENTS | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| ·钽酸锂晶片超精密抛光的研究意义 | 第13-14页 |
| ·国内外晶片超精密加工技术研究现状 | 第14-23页 |
| ·晶片的超精密加工方法 | 第14-18页 |
| ·化学机械抛光技术研究现状 | 第18-22页 |
| ·钽酸锂晶片超精密抛光的研究现状 | 第22-23页 |
| ·课题来源及主要研究内容 | 第23-25页 |
| ·课题来源 | 第23页 |
| ·主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 实验材料与实验研究方法 | 第25-35页 |
| ·实验材料 | 第25-27页 |
| ·钽酸锂晶片的结构与性能 | 第25-26页 |
| ·硅片结构与性能 | 第26-27页 |
| ·实验方法 | 第27-33页 |
| ·化学腐蚀实验 | 第28-29页 |
| ·单颗金刚石刻划晶片实验 | 第29页 |
| ·钽酸锂晶片化学机械抛光实验 | 第29-33页 |
| ·钽酸锂晶片化学机械抛光的实验过程 | 第33-34页 |
| ·工件材料的预加工 | 第33页 |
| ·工件盘的制备 | 第33-34页 |
| ·工件的清洗 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 钽酸锂晶片化学、机械去除机理研究 | 第35-45页 |
| ·钽酸锂晶片的化学去除作用 | 第35-39页 |
| ·氧化剂种类对钽酸锂晶片的腐蚀作用 | 第35-36页 |
| ·氧化剂浓度对钽酸锂晶片腐蚀效果的影响 | 第36-37页 |
| ·pH值对钽酸锂单晶和硅片腐蚀效果的影响 | 第37-39页 |
| ·单颗金刚石刻划晶片的机械去除机理 | 第39-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 化学机械抛光的运动轨迹分析 | 第45-59页 |
| ·抛光运动速度分析与计算 | 第45-50页 |
| ·工件受力分析 | 第45-46页 |
| ·工件上任一点速度分析 | 第46-48页 |
| ·工件角速度ω_w的计算 | 第48-50页 |
| ·抛光运动轨迹分析与仿真 | 第50-55页 |
| ·抛光运动轨迹方程 | 第50-52页 |
| ·仿真结果分析 | 第52-55页 |
| ·抛光运动轨迹一拱的曲线弧长 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 钽酸锂晶片化学机械抛光过程实验研究 | 第59-72页 |
| ·抛光垫表面状况对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第59-60页 |
| ·抛光垫材料对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第60-61页 |
| ·抛光压力对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第61-63页 |
| ·抛光盘转速对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第63-64页 |
| ·抛光液性质对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第64-67页 |
| ·抛光液pH值对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第64-65页 |
| ·抛光液中氧化剂对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第65-67页 |
| ·磨料对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第67-70页 |
| ·磨料种类对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第67-69页 |
| ·磨料粒度对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第69-70页 |
| ·钽酸锂晶片初始表面状况对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 结论与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78-79页 |
| 独创性声明 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 附录Ⅰ 角速度计算程序清单 | 第81-83页 |
| 附录Ⅱ 轨迹仿真程序清单 | 第83-84页 |
