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光电子材料钽酸锂晶片化学机械抛光过程研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
符号说明第6-7页
目录第7-10页
CONTENTS第10-13页
第一章 绪论第13-25页
   ·钽酸锂晶片超精密抛光的研究意义第13-14页
   ·国内外晶片超精密加工技术研究现状第14-23页
     ·晶片的超精密加工方法第14-18页
     ·化学机械抛光技术研究现状第18-22页
     ·钽酸锂晶片超精密抛光的研究现状第22-23页
   ·课题来源及主要研究内容第23-25页
     ·课题来源第23页
     ·主要研究内容第23-25页
第二章 实验材料与实验研究方法第25-35页
   ·实验材料第25-27页
     ·钽酸锂晶片的结构与性能第25-26页
     ·硅片结构与性能第26-27页
   ·实验方法第27-33页
     ·化学腐蚀实验第28-29页
     ·单颗金刚石刻划晶片实验第29页
     ·钽酸锂晶片化学机械抛光实验第29-33页
   ·钽酸锂晶片化学机械抛光的实验过程第33-34页
     ·工件材料的预加工第33页
     ·工件盘的制备第33-34页
     ·工件的清洗第34页
   ·本章小结第34-35页
第三章 钽酸锂晶片化学、机械去除机理研究第35-45页
   ·钽酸锂晶片的化学去除作用第35-39页
     ·氧化剂种类对钽酸锂晶片的腐蚀作用第35-36页
     ·氧化剂浓度对钽酸锂晶片腐蚀效果的影响第36-37页
     ·pH值对钽酸锂单晶和硅片腐蚀效果的影响第37-39页
   ·单颗金刚石刻划晶片的机械去除机理第39-44页
   ·本章小结第44-45页
第四章 化学机械抛光的运动轨迹分析第45-59页
   ·抛光运动速度分析与计算第45-50页
     ·工件受力分析第45-46页
     ·工件上任一点速度分析第46-48页
     ·工件角速度ω_w的计算第48-50页
   ·抛光运动轨迹分析与仿真第50-55页
     ·抛光运动轨迹方程第50-52页
     ·仿真结果分析第52-55页
   ·抛光运动轨迹一拱的曲线弧长第55-57页
   ·本章小结第57-59页
第五章 钽酸锂晶片化学机械抛光过程实验研究第59-72页
   ·抛光垫表面状况对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第59-60页
   ·抛光垫材料对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第60-61页
   ·抛光压力对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第61-63页
   ·抛光盘转速对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第63-64页
   ·抛光液性质对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第64-67页
     ·抛光液pH值对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第64-65页
     ·抛光液中氧化剂对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第65-67页
   ·磨料对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第67-70页
     ·磨料种类对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第67-69页
     ·磨料粒度对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第69-70页
   ·钽酸锂晶片初始表面状况对抛光表面粗糙度和材料去除率的影响第70页
   ·本章小结第70-72页
结论与展望第72-74页
参考文献第74-78页
攻读硕士学位期间发表的论文第78-79页
独创性声明第79-80页
致谢第80-81页
附录Ⅰ 角速度计算程序清单第81-83页
附录Ⅱ 轨迹仿真程序清单第83-84页

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