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嵌入式SRAM内建自测试设计

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·课题背景第7页
   ·国内外研究情况第7-8页
   ·论文的主要工作第8-9页
   ·论文章节结构第9-11页
第二章 集成电路可测性设计第11-19页
   ·专项设计(Ad hoc Design)第12-13页
   ·扫描设计第13-14页
   ·边界扫描技术第14页
   ·内建自测试设计(BIST)第14-17页
     ·BIST的组成第15-16页
     ·BIST应用方案第16-17页
   ·小结第17-19页
第三章 SRAM工作原理及故障模型分析第19-31页
   ·SRAM基本结构及工作原理第19-25页
     ·SRAM总体架构第19-21页
     ·SRAM存储单元工作原理第21-25页
   ·SRAM故障模型分析第25-29页
     ·单端口存储器存储单元阵列故障机理分析第25-28页
     ·地址译码故障第28页
     ·读写逻辑第28-29页
     ·双端口故障模型第29页
   ·小结第29-31页
第四章 测试算法分析第31-37页
   ·存储器测试所使用的几种算法第31-33页
   ·MARCH算法分析第33-36页
   ·小结第36-37页
第五章 SRAM内建自测试设计第37-55页
   ·4K×8bitSRAM简介第37-39页
   ·BIST时序分析第39-41页
     ·传统的BIST时序第39页
     ·有并行结构的BIST时序第39-41页
   ·BIST电路各功能模块设计第41-51页
     ·传统 BIST模块设计第41-42页
     ·带有内建自分析(BISA)的BIST设计第42页
     ·FSM控制器设计第42-44页
     ·地址产生器设计第44-47页
     ·数据产生器设计第47-48页
     ·读写控制器设计第48-49页
     ·比较数据器设计第49页
     ·比较器设计第49-50页
     ·BISA设计第50-51页
   ·FPGA板级验证第51-53页
   ·小结第53-55页
第六章 RTL代码综合和后端设计分析第55-65页
   ·RTL代码综合第55-58页
     ·综合简介第55-56页
     ·BIST设计 RTL级综合第56-58页
   ·静态时序分析第58-60页
     ·静态时序分析(STA)介绍第58-59页
     ·PrimeTime进行时序分析第59-60页
   ·版图设计第60-63页
     ·电源布线第60-61页
     ·布局第61页
     ·时钟树综合第61-62页
     ·布线第62-63页
     ·验证仿真第63页
   ·小结第63-65页
第七章 总结和展望第65-67页
致谢第67-69页
参考文献第69-71页
研究成果第71页

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