MEMS器件深槽侧壁形貌测试方法研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·表面三维形貌光学测量技术 | 第9-12页 |
| ·表面三维形貌光学测量技术概况 | 第9-11页 |
| ·表面三维形貌测量的发展趋势 | 第11-12页 |
| ·纳米测量系统研究现状 | 第12-15页 |
| ·课题研究背景与本论文主要内容 | 第15-18页 |
| 2 干涉测量技术原理 | 第18-28页 |
| ·光学低相干干涉 | 第18-20页 |
| ·移相干涉（PSI）原理 | 第20-21页 |
| ·傅立叶频域分析（FDA）原理 | 第21-22页 |
| ·白光垂直扫描干涉（VSI）原理 | 第22-24页 |
| ·本课题测试算法研究 | 第24-28页 |
| ·包络曲线拟合 | 第24-25页 |
| ·白光垂直扫描干涉 | 第25-28页 |
| 3 MEMS 深槽侧壁形貌测试方法研究 | 第28-38页 |
| ·MEMS 深槽宽比工艺概述 | 第28-30页 |
| ·光在介质中的反射、吸收、折射 | 第30-32页 |
| ·半导体材料红外光学特性 | 第32-36页 |
| ·红外透射理论 | 第33-35页 |
| ·硅材料红外光学特性 | 第35-36页 |
| ·深沟槽侧壁形貌测试方法 | 第36-38页 |
| 4 测试系统设计与搭建 | 第38-66页 |
| ·系统整体设计 | 第38-39页 |
| ·光学干涉显微镜 | 第39-43页 |
| ·红外光源 | 第43-50页 |
| ·红外光源光谱范围选定 | 第43-48页 |
| ·红外光源测试 | 第48-50页 |
| ·PZT 压电陶瓷微位移器 | 第50-55页 |
| ·压电陶瓷微位移器工作原理及其特性 | 第51-52页 |
| ·压电陶瓷微位移器性能测试 | 第52-54页 |
| ·PZT 微位移平台系统 | 第54-55页 |
| ·红外探测器 | 第55-58页 |
| ·探测器特性 | 第56页 |
| ·INGAAS 近红外相机 | 第56-58页 |
| ·测试系统搭建 | 第58-66页 |
| ·系统结构 | 第58-60页 |
| ·系统测量范围 | 第60-61页 |
| ·测量系统分辨率 | 第61-63页 |
| ·系统误差 | 第63-66页 |
| 5 硅∕玻璃键合样品测试及分析 | 第66-74页 |
| ·样品测试 | 第66-70页 |
| ·成分测试 | 第66-67页 |
| ·形貌测试 | 第67-70页 |
| ·样品透射测试 | 第70-72页 |
| ·透射测试 | 第70-71页 |
| ·结果分析 | 第71-72页 |
| ·光路补偿 | 第72-74页 |
| 6 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
