| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-16页 |
| ·半导体 | 第9-11页 |
| ·半导体的分类 | 第9-10页 |
| ·半导体的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·薄膜制备方法介绍 | 第11-13页 |
| ·氮化物半导体低维结构的研究背景及意义 | 第13-16页 |
| 第二章 样品的制备及表征方法 | 第16-36页 |
| ·溅射沉积系统 | 第16-28页 |
| ·溅射原理 | 第16页 |
| ·辉光放电 | 第16-21页 |
| ·射频磁控溅射 | 第21-23页 |
| ·薄膜的成膜过程 | 第23-26页 |
| ·JGP560型超高真空多功能磁控溅射系统 | 第26-28页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第28-36页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第29-31页 |
| ·紫外—可见吸收光谱 | 第31-33页 |
| ·四探针 | 第33-36页 |
| 第三章 Al_xIn_(1-x)N薄膜的制备与表征 | 第36-45页 |
| ·Al_xIn_(1-x)N薄膜的制备 | 第36-37页 |
| ·成膜过程分析 | 第37-38页 |
| ·A1N缓冲层的成膜过程 | 第37-38页 |
| ·Al_xIn_(1-x)N薄膜的成膜过程 | 第38页 |
| ·Al_xIn_(1-x)N薄膜的表征 | 第38-45页 |
| ·Al_xIn_(1-x)N薄膜的表面形貌 | 第38-39页 |
| ·Al_xIn_(1-x)N薄膜的结构 | 第39-42页 |
| ·Al_xIn_(1-x)N薄膜的紫外—可见光谱 | 第42-43页 |
| ·Al_xIn_(1-x)N薄膜的电学性质 | 第43-45页 |
| 第四章 InN的结构、光学性质及掺杂的第一性原理计算 | 第45-54页 |
| ·概述 | 第45页 |
| ·第一性原理简介 | 第45-47页 |
| ·计算模型和方法 | 第47-48页 |
| ·Si掺杂计算结果与讨论 | 第48-54页 |
| ·能带结构 | 第48-49页 |
| ·态密度分析 | 第49-51页 |
| ·光学性质分析 | 第51-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在校期间的科研成果 | 第65页 |