| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-28页 |
| ·本章简介 | 第10页 |
| ·自旋电子学 | 第10-13页 |
| ·拓扑绝缘体 | 第13-28页 |
| ·自旋霍尔效应和量子自旋霍尔效应 | 第14-19页 |
| ·三维拓扑绝缘体 | 第19-24页 |
| ·拓扑绝缘体的发展与展望 | 第24-28页 |
| 第2章 实验仪器和实验原理 | 第28-44页 |
| ·本章简介 | 第28页 |
| ·扫描隧道显微镜（STM）技术 | 第28-34页 |
| ·STM 的基本原理 | 第28-30页 |
| ·扫描隧道谱（STS） | 第30-32页 |
| ·STM 的主要构造 | 第32-34页 |
| ·超高真空技术 | 第34-37页 |
| ·低温和强磁场技术 | 第37-40页 |
| ·分子束外延技术 | 第40-44页 |
| 第3章 拓扑绝缘体表面态的朗道量子化 | 第44-66页 |
| ·本章简介 | 第44页 |
| ·朗道能级 | 第44-53页 |
| ·均匀磁场下的自由电子 | 第44-46页 |
| ·均匀磁场下的狄拉克费米子 | 第46-47页 |
| ·朗道能级与量子霍尔效应 | 第47-51页 |
| ·STM/STS 对朗道能级的研究 | 第51-53页 |
| ·拓扑绝缘体Bi_2Se_3 表面态朗道能级的STM/STS 研究 | 第53-65页 |
| ·Bi_2Se_3 薄膜的分子束外延（MBE）生长 | 第54-55页 |
| ·Bi_2Se_3 薄膜在零磁场下的STM/STS 观察 | 第55-59页 |
| ·Bi_2Se_3 薄膜在磁场下的朗道能级的STS 观察 | 第59-63页 |
| ·Bi_2Se_3 薄膜的朗道能级随层厚的变化 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 拓扑绝缘体表面态的电子驻波 | 第66-81页 |
| ·本章简介 | 第66页 |
| ·表面态的电子驻波 | 第66-68页 |
| ·拓扑绝缘体Bi_2Te_3 薄膜的表面态电子驻波 | 第68-80页 |
| ·Bi_2Te_3 薄膜的分子束外延（MBE）生长 | 第69-70页 |
| ·Bi_2Te_3 薄膜表面态电子驻波的 STM/STS 研究 | 第70-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第5章 磁性杂质对拓扑绝缘体表面态的影响 | 第81-94页 |
| ·本章简介 | 第81页 |
| ·拓扑绝缘体表面态的磁性杂质 | 第81-84页 |
| ·实验方法与结果分析 | 第84-93页 |
| ·Bi_2Te_3 表面的 V 原子 | 第85-90页 |
| ·Bi_2Te_3 表面的 Fe 原子 | 第90-91页 |
| ·Bi_2Se_3 表面的V 原子 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第6章 结论 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-102页 |
| 致谢 | 第102-104页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第104页 |
