硅酸铒镶嵌氧化硅薄膜的制备及其光学性能的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-46页 |
| 2.1 硅基光电子学的背景与意义 | 第16-18页 |
| 2.2 硅基光源的研究进展 | 第18-45页 |
| 2.2.1 多孔硅发光 | 第19-20页 |
| 2.2.2 纳米硅的发光 | 第20-22页 |
| 2.2.3 硅中缺陷发光 | 第22-23页 |
| 2.2.4 位错环增强硅pn结发光 | 第23-24页 |
| 2.2.5 锗能带调控 | 第24-25页 |
| 2.2.6 硅基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体混合激光器 | 第25-27页 |
| 2.2.7 硅拉曼激光器 | 第27-28页 |
| 2.2.8 铒掺杂硅基发光材料 | 第28-45页 |
| 2.3 存在的主要问题 | 第45-46页 |
| 第三章 样品的制备与表征 | 第46-48页 |
| 3.1 材料制备设备 | 第46页 |
| 3.1.1 电子束蒸发 | 第46页 |
| 3.1.2 射频溅射 | 第46页 |
| 3.1.3 热处理设备 | 第46页 |
| 3.2 材料表征方法 | 第46-48页 |
| 3.2.1 卢瑟福背散射 | 第46-47页 |
| 3.2.2 X射线多晶衍射仪 | 第47页 |
| 3.2.3 拉曼光谱 | 第47页 |
| 3.2.4 稳态/瞬态荧光光谱 | 第47页 |
| 3.2.5 透射电子显微镜 | 第47-48页 |
| 第四章 硅酸铒薄膜的制备及结构分析 | 第48-64页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验 | 第48-49页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第48-49页 |
| 4.2.2 样品表征 | 第49页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第49-62页 |
| 4.3.1 无富硅硅酸铒薄膜 | 第49-55页 |
| 4.3.2 富硅硅酸铒薄膜 | 第55-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 硅酸铒的晶型转变 | 第64-78页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 实验 | 第64页 |
| 5.2.1 样品制备 | 第64页 |
| 5.2.2 样品表征 | 第64页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第64-77页 |
| 5.3.1 热处理温度的影响 | 第65-67页 |
| 5.3.2 薄膜成分的影响 | 第67-70页 |
| 5.3.3 热处理气氛的影响 | 第70-72页 |
| 5.3.4 硅酸铒不同晶型的晶体结构 | 第72-77页 |
| 5.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 硅酸铒不同晶型的发光性能 | 第78-92页 |
| 6.1 引言 | 第78页 |
| 6.2 实验 | 第78-79页 |
| 6.2.1 样品制备 | 第78页 |
| 6.2.2 样品表征 | 第78-79页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第79-90页 |
| 6.3.1 硅酸铒的拉曼光谱 | 第79-81页 |
| 6.3.2 硅酸铒的发光性能 | 第81-90页 |
| 6.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 第七章 硅酸铒的敏化发光 | 第92-106页 |
| 7.1 引言 | 第92页 |
| 7.2 实验 | 第92-93页 |
| 7.2.1 样品制备 | 第92页 |
| 7.2.2 样品表征 | 第92-93页 |
| 7.3 实验结果与讨论 | 第93-105页 |
| 7.3.1 硅酸铒的敏化发光 | 第93-96页 |
| 7.3.2 热处理工艺对硅酸铒敏化发光的影响 | 第96-105页 |
| 7.4 本章小结 | 第105-106页 |
| 第八章 总结 | 第106-108页 |
| 8.1 结论 | 第106-107页 |
| 8.2 展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 个人简历 | 第124-126页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第126页 |
