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基于SOI的可调光衰减器研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 研究背景第11页
    1.2 国内外研究现状第11-16页
        1.2.1 基于MEMS技术可调光衰减器第11-12页
        1.2.2 基于液晶技术可调光衰减器第12-13页
        1.2.3 基于聚合物技术可调光衰减器第13-14页
        1.2.4 基于SOI可调光衰减器第14-16页
    1.3 论文研究内容第16页
    1.4 论文组织结构第16-19页
第二章 横向PIN结构可调光衰减器的设计第19-35页
    2.1 横向PIN结构可调光衰减器的设计原理第19-23页
        2.1.1 横向PIN结构可调光衰减器的工作原理第19-20页
        2.1.2 横向PIN结构可调光衰减器的结构与参数第20-22页
        2.1.3 模拟计算模型及参数设置第22-23页
    2.2 偏振无关超低功耗可调光衰减器设计第23-28页
        2.2.1 偏振无关设计第23-25页
        2.2.2 波长相关性分析第25-26页
        2.2.3 TDRC结构优化设计第26-28页
    2.3 基于VTT平台可调光衰减器设计第28-34页
        2.3.1 波导结构设计第28-31页
        2.3.2 偏振无关设计第31-32页
        2.3.3 器件性能分析第32-34页
    2.4 本章小结第34-35页
第三章 基于微环谐振腔的可调光衰减器设计第35-47页
    3.1 微环谐振腔可调光衰减器理论分析第35-38页
        3.1.1 微环谐振器传输特性第35-37页
        3.1.2 微环谐振腔可调光衰减器重要参数第37-38页
    3.2 微环谐振腔可调光衰减器的设计第38-43页
        3.2.1 波导结构及尺寸第38-39页
        3.2.2 微环的半径第39-40页
        3.2.3 耦合区间隔设计第40-41页
        3.2.4 热光调谐特性仿真第41-43页
    3.3 测试结果分析第43-45页
    3.4 本章小结第45-47页
第四章 基于马赫-曾德干涉原理可调光衰减器的设计第47-57页
    4.1 马赫-曾德可调光衰减器原理第47-49页
    4.2 基于马赫-曾德干涉原理可调光衰减器设计第49-53页
        4.2.1 2x2MMI耦合器的设计第49-50页
        4.2.2 调制臂长度的优化设计第50-51页
        4.2.3 器件衰减特性分析第51-52页
        4.2.4 器件响应特性分析第52-53页
    4.3 测试结果分析第53-55页
    4.4 本章小结第55-57页
第五章 总结与展望第57-59页
致谢第59-61页
参考文献第61-65页
作者简介第65页

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