作者简历 | 第7-9页 |
摘要 | 第9-11页 |
Abstract | 第11-13页 |
第一章 绪论 | 第17-37页 |
1.1 天然气水合物概述 | 第17-24页 |
1.1.1 天然气水合物简介 | 第17-20页 |
1.1.2 天然气水合物的分布、赋存模式及能源潜力 | 第20-23页 |
1.1.3 天然气水合物研究历程与现状 | 第23-24页 |
1.2 天然气水合物勘探开发研究现状 | 第24-29页 |
1.2.1 天然气水合物勘探开发研究现状 | 第24-25页 |
1.2.2 天然气水合物钻井所面临的难题 | 第25-27页 |
1.2.3 天然气水合物钻井液研究现状及性能要求 | 第27-29页 |
1.3 纳米材料在钻井液及水合物领域的研究现状 | 第29-32页 |
1.3.1 纳米材料简介 | 第29-30页 |
1.3.2 纳米材料在钻井液中的应用情况 | 第30-31页 |
1.3.3 纳米材料对水合物形成影响的研究现状 | 第31-32页 |
1.4 水合物抑制剂的研究现状 | 第32-34页 |
1.5 研究目的与意义 | 第34-35页 |
1.6 研究内容与技术路线 | 第35-37页 |
1.6.1 研究内容 | 第35-36页 |
1.6.2 技术路线 | 第36-37页 |
第二章 纳米SiO_2对水合物形成影响研究 | 第37-75页 |
2.1 纳米SiO_2颗粒表征 | 第37-41页 |
2.1.1 纳米SiO_2颗粒的形貌特征 | 第37-39页 |
2.1.2 纳米SiO_2颗粒表面元素及所带基团 | 第39-41页 |
2.2 纳米SiO_2颗粒聚集性测试 | 第41-47页 |
2.2.1 空气中纳米SiO_2颗粒的聚集情况 | 第41-42页 |
2.2.2 流体中纳米SiO_2颗粒的聚集情况 | 第42-47页 |
2.3 纳米流体Zeta电位、水活度及导热系数的测试与分析 | 第47-53页 |
2.3.1 纳米流体Zeta电位的测试 | 第47-49页 |
2.3.2 纳米流体水活度的测试 | 第49-50页 |
2.3.3 纳米流体导热系数的测试 | 第50-53页 |
2.4 纳米SiO_2对甲烷水合物相平衡条件的影响 | 第53-57页 |
2.4.1 实验方法与过程 | 第53-55页 |
2.4.2 实验结果 | 第55-57页 |
2.5 纳米SiO_2对水合物形成及聚集的影响 | 第57-71页 |
2.5.1 实验方法与过程 | 第57-58页 |
2.5.2 蒸馏水实验 | 第58-61页 |
2.5.3 亲水纳米SiO_2实验 | 第61-64页 |
2.5.4 疏水纳米SiO_2实验 | 第64-67页 |
2.5.5 机理分析 | 第67-71页 |
2.6 水合物形成驱动力对亲水纳米SiO_2水合物抑制性的影响 | 第71-73页 |
2.7 本章小结 | 第73-75页 |
第三章 复配型抑制剂对水合物形成影响研究 | 第75-93页 |
3.1 单一型抑制剂对水合物形成及聚集的影响 | 第75-83页 |
3.1.1 实验方法与过程 | 第75-76页 |
3.1.2 动力学抑制剂实验 | 第76-79页 |
3.1.3 防聚剂实验 | 第79-81页 |
3.1.4 模拟海水实验 | 第81-83页 |
3.2 动、热力学抑制剂复配对水合物形成及聚集的影响 | 第83-84页 |
3.3 防聚剂与热力学抑制剂复配对水合物形成及聚集的影响 | 第84-86页 |
3.4 强驱动力条件下复配型抑制剂对水合物形成及聚集的影响 | 第86-91页 |
3.4.1 动力学抑制剂与热力学抑制剂复配 | 第87-89页 |
3.4.2 防聚剂与热力学抑制剂复配 | 第89-90页 |
3.4.3 三类抑制剂复配 | 第90-91页 |
3.5 本章小结 | 第91-93页 |
第四章 亲水纳米SiO_2与抑制剂复配对水合物形成影响研究 | 第93-107页 |
4.1 亲水纳米SiO_2与单一型抑制剂复配对水合物形成及聚集的影响 | 第93-102页 |
4.1.1 亲水纳米SiO_2与动力学抑制剂复配 | 第93-97页 |
4.1.2 亲水纳米SiO_2与防聚剂复配 | 第97-100页 |
4.1.3 亲水纳米SiO_2与热力学抑制剂复配 | 第100-102页 |
4.2 亲水纳米SiO_2与复配型抑制剂共存对水合物形成及聚集的影响 | 第102-106页 |
4.3 本章小结 | 第106-107页 |
第五章 结论与建议 | 第107-110页 |
5.1 论文的主要结论与建议 | 第107-108页 |
5.2 论文的创新点 | 第108-109页 |
5.3 论文的不足与展望 | 第109-110页 |
致谢 | 第110-111页 |
参考文献 | 第111-125页 |