| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 交直流转换标准 | 第14-15页 |
| 1.2 单元热电变换器 | 第15页 |
| 1.3 立体多元热电变换器 | 第15-17页 |
| 1.4 薄膜热电变换器 | 第17-25页 |
| 1.4.1 基于热电堆测温技术的薄膜热电变换器 | 第17-23页 |
| 1.4.2 基于热敏电阻测温技术的薄膜热电变换器 | 第23-24页 |
| 1.4.3 基于红外探测器测温技术的薄膜热电变换器 | 第24-25页 |
| 1.5 论文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| 2 谐振式薄膜热电变换器结构与工作机理 | 第26-34页 |
| 2.1 谐振式薄膜热电变换器的基本结构 | 第26-27页 |
| 2.2 谐振梁的激励和检测原理 | 第27-31页 |
| 2.2.1 谐振梁的电热激励原理 | 第27-28页 |
| 2.2.2 谐振梁的压阻检测原理 | 第28-29页 |
| 2.2.3 谐振梁的谐振频率 | 第29-31页 |
| 2.3 谐振式薄膜热电变换器的工作机理 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 低电阻温度系数NiCrSi薄膜电阻工艺研究 | 第34-44页 |
| 3.1 低电阻温度系数薄膜电阻研究进展 | 第34-36页 |
| 3.2 NiCrSi薄膜的溅射与退火工艺 | 第36-39页 |
| 3.3 NiCrSi薄膜性能分析 | 第39-42页 |
| 3.3.1 两种溅射方式的溅射速率比较 | 第39-40页 |
| 3.3.2 退火前后的薄膜方块电阻的变化 | 第40-41页 |
| 3.3.3 退火前后温度对薄膜方块电阻的影响 | 第41页 |
| 3.3.4 退火前后薄膜电阻温度系数 | 第41-42页 |
| 3.3.5 低电阻温度系数薄膜的溅射与退火工艺 | 第42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 谐振式薄膜热电变换器制作工艺研究 | 第44-61页 |
| 4.1 谐振式薄膜热电变换器工艺流程 | 第44-47页 |
| 4.2 绝热薄膜的制备 | 第47-50页 |
| 4.2.1 二氧化硅薄膜的制备 | 第48-49页 |
| 4.2.2 氮化硅薄膜的制备 | 第49-50页 |
| 4.2.3 二氧化硅和氮化硅薄膜的应力补偿 | 第50页 |
| 4.3 多晶硅电阻的制作工艺研究 | 第50-53页 |
| 4.3.1 扩散工艺制作多晶硅电阻均匀性问题 | 第51-52页 |
| 4.3.2 采用离子注入多晶硅电阻 | 第52-53页 |
| 4.4 加热电阻与谐振梁的释放工艺研究 | 第53-60页 |
| 4.4.1 正面释放工艺研究 | 第53-57页 |
| 4.4.2 背面释放加热电阻与谐振梁 | 第57-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 5 结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 总结 | 第61页 |
| 5.2 展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 作者简历 | 第68页 |