| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-15页 |
| 1.1 三种铜氧化物(CuO,Cu_2O,Cu_4O_3)简介 | 第6-8页 |
| 1.1.1 氧化铜的基本性质与结构 | 第6页 |
| 1.1.2 氧化亚铜的基本性质与结构 | 第6-7页 |
| 1.1.3 三氧化四铜的基本性质与结构 | 第7-8页 |
| 1.2 铜氧化物薄膜的应用 | 第8-9页 |
| 1.2.1 太阳能电池 | 第8页 |
| 1.2.2 锂电池 | 第8-9页 |
| 1.2.3 光催化 | 第9页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第9页 |
| 1.3 三种铜氧化物(CuO,Cu_2O,Cu_4O_3)的制备方法 | 第9-12页 |
| 1.3.1 CuO(Cu_2O)的制备方法 | 第9-12页 |
| 1.3.2 Cu_4O_3的制备方法 | 第12页 |
| 1.4 铜氧化物薄膜(CuO,Cu_2O,Cu_4O_3)的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4.1 国外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4.2 国内研究现状 | 第13页 |
| 1.5 本文的研究目的与内容 | 第13-15页 |
| 2 实验设备与薄膜表征方法 | 第15-22页 |
| 2.1 磁控溅射基本原理 | 第15-17页 |
| 2.2 射频反应磁控溅射实验装置 | 第17-18页 |
| 2.3 铜氧化物薄膜制备流程 | 第18页 |
| 2.3.1 实验前的准备 | 第18页 |
| 2.3.2 实验操作流程 | 第18页 |
| 2.4 铜氧化物薄膜的测试与表征 | 第18-22页 |
| 2.4.1 傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR) | 第18-19页 |
| 2.4.2 X射线衍射仪(XRD) | 第19-20页 |
| 2.4.3 台阶仪 | 第20-21页 |
| 2.4.4 光纤光谱仪 | 第21-22页 |
| 3 利用射频反应磁控溅射制备铜氧化物薄膜材料 | 第22-42页 |
| 3.1 氧气流量对铜氧化物薄膜的影响 | 第22-29页 |
| 3.1.1 氧气流量对铜氧化物薄膜化学结构的影响 | 第23-24页 |
| 3.1.2 氧气流量对铜氧化物薄膜晶体结构的影响 | 第24-25页 |
| 3.1.3 氧气流量对铜氧化物薄膜沉积速率的影响 | 第25-26页 |
| 3.1.4 氧气流量对铜氧化物薄膜光学性能的影响 | 第26-29页 |
| 3.2 射频功率对铜氧化物薄膜的影响 | 第29-35页 |
| 3.2.1 射频功率对铜氧化物薄膜化学结构的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.2 射频功率对铜氧化物薄膜晶体结构的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.3 射频功率对铜氧化物薄膜沉积速率的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.4 射频功率对铜氧化物薄膜光学性能的影响 | 第32-35页 |
| 3.3 工作气压对铜氧化物薄膜的影响 | 第35-40页 |
| 3.3.1 工作气压对铜氧化物薄膜的成分及化学结构的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.2 工作气压对铜氧化物薄膜的晶体结构的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.3 工作气压对铜氧化物薄膜沉积速率的影响 | 第38页 |
| 3.3.4 工作气压对铜氧化物薄膜光学性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 本章结论 | 第40-42页 |
| 4 基片温度对Cu_2O薄膜择优取向的影响 | 第42-48页 |
| 4.1 基片温度对Cu_2O薄膜化学结构的影响 | 第42-43页 |
| 4.2 基片温度对多晶Cu_2O薄膜的晶体结构的影响 | 第43-44页 |
| 4.3 基片温度对多晶Cu_2O薄膜沉积速率的影响 | 第44-45页 |
| 4.4 基片温度对多晶Cu_2O薄膜光学性能的影响 | 第45-47页 |
| 4.5 本章结论 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
