| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 有机半导体材料的设计理念 | 第9-11页 |
| 1.3 螺环芳烃类半导体在有机电子学方面的应用 | 第11-16页 |
| 1.3.1 螺环芳烃的空间位阻对器件性能的影响 | 第12-14页 |
| 1.3.2 螺环芳烃的电子结构对器件性能的影响 | 第14-15页 |
| 1.3.3 螺环芳烃的拓扑结构对器件性能的影响 | 第15-16页 |
| 1.4 延迟荧光材料的设计理念 | 第16-20页 |
| 1.4.1 基于金属-有机配合物的TADF材料 | 第17-19页 |
| 1.4.2 基于D-A分子体系的TADF材料 | 第19-20页 |
| 1.4.3 基于富勒烯的TADF材料 | 第20页 |
| 1.5 本文研究思路 | 第20-22页 |
| 第二章 氰基取代基效应对螺芴氧杂蒽形成激基复合物的影响 | 第22-37页 |
| 2.1 前言 | 第22-23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-27页 |
| 2.2.1 原料与试剂 | 第23页 |
| 2.2.2 合成路线 | 第23-24页 |
| 2.2.3 合成过程 | 第24-27页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第27-35页 |
| 2.3.1 合成 | 第27页 |
| 2.3.2 光物理性质 | 第27-30页 |
| 2.3.3 电化学性质 | 第30-31页 |
| 2.3.4 掺杂薄膜的光物理性质 | 第31-34页 |
| 2.3.5 基激复合物OLED器件性质 | 第34-35页 |
| 2.4 总结 | 第35-37页 |
| 第三章 偶极矩效应对氰基功能化的螺芴氧杂蒽晶体管存储器空穴存储能力的影响 | 第37-49页 |
| 3.1 前言 | 第37-38页 |
| 3.2 实验部分 | 第38-39页 |
| 3.2.1 主要原料和试剂 | 第38页 |
| 3.2.2 主要材料 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-48页 |
| 3.3.1 氰基功能化螺芴氧杂蒽的电子结构特性 | 第39-42页 |
| 3.3.2 氰基功能化螺芴氧杂蒽的蒸镀光物理性质 | 第42-43页 |
| 3.3.3 偶极矩对氰基功能化螺芴氧杂蒽的晶体管存储窗口影响的研究 | 第43-45页 |
| 3.3.4 偶极矩对氰基功能化螺芴氧杂蒽的晶体管存存储速率和存储密度影响的研究 | 第45-47页 |
| 3.3.5 氰基功能化螺芴氧杂蒽的晶体管存储器的性能优化 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 位阻效应螺芴苯并氧杂蒽晶体管存储器空穴存储能力的影响 | 第49-56页 |
| 4.1 前言 | 第49页 |
| 4.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 4.2.1 主要原料和试剂 | 第49-50页 |
| 4.2.2 主要材料 | 第50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-54页 |
| 4.3.1 氰基功能化螺芴氧杂蒽的电子结构特性 | 第50-52页 |
| 4.3.2 空间位阻效应对氰基功能化螺芴氧杂蒽的晶体管存储窗口影响的研究 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录1 附图 | 第62-77页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第77-78页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第78-79页 |
| 附录4 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
