| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 研究现状 | 第11-21页 |
| 1.2.1 金刚石薄膜的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 纳米金刚石薄膜的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.3 纳米金刚石复合薄膜的研究现状 | 第16-21页 |
| 1.3 存在的问题 | 第21-22页 |
| 1.4 课题研究的内容，目的和意义 | 第22-24页 |
| 2 理论基础与研究工具 | 第24-28页 |
| 2.1 理论基础 | 第24-25页 |
| 2.2 实验设备 | 第25-28页 |
| 3 C-Si 界面结构的研究 | 第28-39页 |
| 3.1 计算方法和基底模型的选取 | 第28-30页 |
| 3.2 单层 Si 和 SiC 界面模型 | 第30-31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-37页 |
| 3.4 小结 | 第37-39页 |
| 4 构型 4C1Si 岛吸附和演变研究 | 第39-47页 |
| 4.1 计算方法及基底模型的选取 | 第39-40页 |
| 4.2 构型 4C1Si 岛在 Dimaond（001）表面的吸附模型 | 第40-42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-46页 |
| 4.4 小结 | 第46-47页 |
| 5 掺杂元素对金刚石晶体中碳粒子迁移影响的探究 | 第47-66页 |
| 5.1 单个碳原子的迁移 | 第47-49页 |
| 5.1.1 计算模型的选取 | 第47-48页 |
| 5.1.2 结果与讨论 | 第48-49页 |
| 5.2 构型 1C1M 岛中碳原子迁移 | 第49-60页 |
| 5.2.1 计算模型的选取 | 第49-50页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第50-60页 |
| 5.3 构型 1C1M 岛中掺杂原子迁移 | 第60-64页 |
| 5.3.1 计算模型的选取 | 第60-61页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第61-64页 |
| 5.4 小结 | 第64-66页 |
| 6 MPCVD 制备纳米金刚石薄膜 | 第66-69页 |
| 6.1 实验阶段 | 第66页 |
| 6.2 结果与讨论 | 第66-68页 |
| 6.3 小结 | 第68-69页 |
| 全文总结 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 索引 | 第78-81页 |
| 在学研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |