| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 电子封装技术的发展概况 | 第11-13页 |
| 1.1.1 电子封装的定义和功能 | 第11页 |
| 1.1.2 电子封装技术的发展趋势 | 第11-13页 |
| 1.2 应用于三维叠层封装的微凸点键合 | 第13-18页 |
| 1.2.1 微凸点键合技术 | 第14-16页 |
| 1.2.2 凸点微小化影响 | 第16-18页 |
| 1.3 铜-锡及镍-锡界面反应 | 第18-26页 |
| 1.3.1 铜-锡界面反应 | 第18-23页 |
| 1.3.2 镍-锡界面反应 | 第23-26页 |
| 1.4 本文的研究目的和研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 取向铜薄膜及镍薄膜电沉积工艺研究 | 第27-40页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 实验原理及实验方法 | 第27-33页 |
| 2.2.1 电沉积制备铜、镍、锡薄膜 | 第27-31页 |
| 2.2.2 镀层择优取向表征方法 | 第31-33页 |
| 2.3 电沉积工艺对薄膜晶粒取向的影响 | 第33-39页 |
| 2.3.1 添加剂对电沉积铜薄膜择优取向的影响 | 第33-35页 |
| 2.3.2 电流密度对电沉积镍薄膜择优取向的影响 | 第35-37页 |
| 2.3.3 脉冲电沉积对电沉积镍薄膜择优取向的影响 | 第37-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 铜镀层择优取向对铜-锡界面反应影响研究 | 第40-58页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 实验方法 | 第40-44页 |
| 3.2.1 电沉积制备铜-锡固态反应扩散偶 | 第40-41页 |
| 3.2.2 固态时效处理 | 第41-42页 |
| 3.2.3 反应界面显微形貌观察样品的制备 | 第42-43页 |
| 3.2.4 表征方法 | 第43-44页 |
| 3.3 铜-锡界面反应微观形貌分析 | 第44-52页 |
| 3.3.1 铜镀层择优取向对界面金属间化合物表面形貌影响 | 第44-49页 |
| 3.3.2 铜镀层择优取向对界面金属间化合物截面形貌影响 | 第49-52页 |
| 3.4 铜-锡界面反应机理分析 | 第52-56页 |
| 3.4.1 热时效时间与IMC层厚度的关系 | 第52-54页 |
| 3.4.2 铜镀层择优取向对IMCs生长的影响 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 镍镀层择优取向对镍-锡界面键合反应的影响 | 第58-67页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 实验方法 | 第58-60页 |
| 4.3 镍镀层择优取向对镍-锡键合界面反应的影响 | 第60-66页 |
| 4.3.1 对界面金属间化合物表面形貌的影响 | 第60-63页 |
| 4.3.2 对界面金属间化合物截面形貌的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.3 对镍-锡键合界面反应机理的影响 | 第65-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 全文总结和研究展望 | 第67-70页 |
| 5.1 全文总结 | 第67-69页 |
| 5.2 研究展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第77页 |
