| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 论文的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 模拟电路退化行为的研究目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.3 模拟电路退化研究的研究现状和关键技术 | 第10-11页 |
| 1.4 本文的结构安排和主要内容 | 第11-13页 |
| 第2章 自底向上的模拟电路退化行为分析 | 第13-41页 |
| 2.1 引言 | 第13页 |
| 2.2 元件退化效应概述 | 第13-21页 |
| 2.2.1 有源元件的退化效应 | 第13-20页 |
| 2.2.2 无源元件的退化效应 | 第20-21页 |
| 2.3 运算放大器简介 | 第21-27页 |
| 2.3.1 运算放大器的特性 | 第22-23页 |
| 2.3.2 运算放大器的结构 | 第23-25页 |
| 2.3.3 运算放大器的设计 | 第25-27页 |
| 2.4 运算放大器的退化行为分析 | 第27-32页 |
| 2.4.1 运放内部 MOS 管承受的退化效应分析 | 第27页 |
| 2.4.2 运放参数的退化过程 | 第27-29页 |
| 2.4.3 不同结构对运放退化过程的影响 | 第29-30页 |
| 2.4.4 工艺参数波动对运放退化过程的影响分析 | 第30-32页 |
| 2.5 电路级退化行为分析 | 第32-39页 |
| 2.5.1 振荡器电路 | 第32-34页 |
| 2.5.2 电压跟随器 | 第34-35页 |
| 2.5.3 高通滤波器电路 | 第35-37页 |
| 2.5.4 数模转换器电路 | 第37-39页 |
| 2.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 第3章 模拟电路的高层次退化模型建立 | 第41-59页 |
| 3.1 模拟电路退化的行为级模型 | 第41-48页 |
| 3.1.1 Hammerstein 模型 | 第41-43页 |
| 3.1.2 电路单元退化的行为级模型 | 第43-46页 |
| 3.1.3 基于行为级模型的模拟电路退化分析 | 第46-48页 |
| 3.2 模拟电路退化的数学模型 | 第48-57页 |
| 3.2.1 基于灵敏度分析的模拟电路退化数学模型 | 第48-52页 |
| 3.2.2 退化程度的衡量标准 | 第52-53页 |
| 3.2.3 仿真实验分析 | 第53-57页 |
| 3.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 模拟电路退化模型验证及分析 | 第59-68页 |
| 4.1 高通滤波器性能退化实验 | 第59-60页 |
| 4.2 双通带滤波器退化过程分析及监测 | 第60-68页 |
| 4.2.1 双通带滤波器退化分析 | 第60-65页 |
| 4.2.2 双通带滤波器退化监测 | 第65-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 附录1 | 第76-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |