| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·选题背景与意义 | 第8-14页 |
| ·本论文主要研究内容与结构安排 | 第14-15页 |
| ·本章小结 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-24页 |
| 第二章 等离子体浸没离子注入(PⅢ)实验装置及PⅢ理论概述 | 第24-45页 |
| ·PⅢ的特点 | 第24-25页 |
| ·PⅢ工实验装置 | 第25-29页 |
| ·真空系统 | 第26-27页 |
| ·等离子体源 | 第27-28页 |
| ·负脉冲高压电源(偏压源) | 第28-29页 |
| ·绝缘衬台和高压靶台 | 第29页 |
| ·PⅢ的诊断设备和仪器 | 第29-33页 |
| ·朗缪尔静电双探针系统 | 第30-32页 |
| ·发射光谱仪 | 第32-33页 |
| ·PⅢ鞘层理论和剂量标定 | 第33-42页 |
| ·PⅢ鞘层模型 | 第33-40页 |
| ·鞘层演化 | 第33-36页 |
| ·鞘层电流 | 第36-38页 |
| ·离子注入深度 | 第38页 |
| ·注入升温 | 第38-39页 |
| ·电介质样品的影响 | 第39-40页 |
| ·偏压源对注入剂量的影响 | 第40-42页 |
| ·注入剂量公式和影响因素 | 第40页 |
| ·注入剂量的修正 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 制膜设备与表征手段 | 第45-53页 |
| ·制膜设备 | 第45-47页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第45-46页 |
| ·退火设备 | 第46-47页 |
| ·薄膜表征设备 | 第47-51页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第47-48页 |
| ·台阶仪(Profilometer) | 第48页 |
| ·扫描式电子显微镜(SEM) | 第48-49页 |
| ·霍尔效应测量仪 | 第49-50页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第50页 |
| ·光致发光(PL) | 第50-51页 |
| ·紫外/可见光分光光度计(UV-Visible Spectroscopy) | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 各因素对PⅢ方法实现ZnO薄膜p型改性的影响 | 第53-77页 |
| ·未经注入的掺铝ZnO薄膜(AZO)特性 | 第53-54页 |
| ·基片及其预处理 | 第53页 |
| ·未注入AZO薄膜制膜过程与结果表征 | 第53-54页 |
| ·各因素对ZnO薄膜p型改性的影响 | 第54-72页 |
| ·注入时气体氛围的影响 | 第54-63页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第54-55页 |
| ·等离子体发射光谱分析 | 第55-57页 |
| ·ZnO:(N,Al)薄膜内化学成分与缺陷分析 | 第57-59页 |
| ·ZnO:(N,Al)薄膜的结构与形貌分析 | 第59-62页 |
| ·ZnO:(N,Al)薄膜透过率分析(UV-Vis Spectroscopy) | 第62页 |
| ·注入气体氛围影响小结 | 第62-63页 |
| ·注入剂量的影响 | 第63-67页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第63-64页 |
| ·ZnO:(N,Al)薄膜的结构分析 | 第64-65页 |
| ·ZnO:(N,Al)薄膜的缺陷分析 | 第65-66页 |
| ·ZnO:(N,Al)薄膜的透过率分析 | 第66页 |
| ·注入剂量影响小结 | 第66-67页 |
| ·退火条件的影响 | 第67-70页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第67-68页 |
| ·ZnO:(Al,N)薄膜的结构与缺陷分析 | 第68-69页 |
| ·ZnO:(Al,N)薄膜的透过率分析 | 第69-70页 |
| ·退火影响小结 | 第70页 |
| ·AZO薄膜中Al含量的影响 | 第70-72页 |
| ·霍尔效应测试分析 | 第70-71页 |
| ·ZnO:(Al,N)薄膜的透过率分析 | 第71-72页 |
| ·Al含量影响小结 | 第72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第五章 总结与展望 | 第77-79页 |
| ·本论文工作总结 | 第77-78页 |
| ·未来工作展望 | 第78-79页 |
| 在校期间的科研成果和发表论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
