| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-17页 |
| 1.1.1 GeSn材料的特点 | 第12-15页 |
| 1.1.2 外延GeSn材料的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.1.3 绝缘衬底上低温制备多晶GeSn的意义 | 第17页 |
| 1.2 多晶GeSn材料的制备方法及晶化技术 | 第17-20页 |
| 1.2.1 分子束外延 | 第18页 |
| 1.2.2 化学气相沉积 | 第18页 |
| 1.2.3 热蒸发 | 第18-19页 |
| 1.2.4 磁控溅射 | 第19-20页 |
| 1.3 论文框架 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-29页 |
| 第二章 绝缘衬底上低温制备GeSn纳米晶薄膜及其性质 | 第29-44页 |
| 2.1 绝缘衬底上Sn自组装纳米岛制备条件的优化 | 第29-31页 |
| 2.2 Sn自组装纳米岛诱导Ge晶化制备GeSn纳米晶薄膜及其性质 | 第31-36页 |
| 2.2.1 样品制备 | 第32页 |
| 2.2.2 GeSn纳米晶薄膜的性质 | 第32-36页 |
| 2.3 快速热退火对GeSn纳米晶薄膜性质的影响 | 第36-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 绝缘衬底上循环沉积Sn/Ge层制备厚GeSn纳米晶薄膜 | 第44-63页 |
| 3.1 沉积温度对厚GeSn纳米晶薄膜性质的影响 | 第44-50页 |
| 3.2 原位退火对厚GeSn纳米晶薄膜性质的影响 | 第50-56页 |
| 3.3 Sn/Ge厚度比对厚GeSn纳米晶薄膜性质的影响 | 第56-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第四章 绝缘衬底上多晶GeSn MSM光电探测器 | 第63-73页 |
| 4.1 多晶GeSn MSM光电探测器设计和制备工艺 | 第63-68页 |
| 4.1.1 GeSn MSM探测器材料制备与表征 | 第63-65页 |
| 4.1.2 GeSn MSM探测器工艺设计与流程 | 第65-68页 |
| 4.2 多晶GeSn MSM光电探测器性能测试 | 第68-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 附录 硕士期间科研成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
