| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 AlGaN材料的研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2.1 AlGaN半导体材料基本性质 | 第14-16页 |
| 1.2.2 制约AlGaN光电器件发展的因素 | 第16-18页 |
| 1.3 论文框架 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-24页 |
| 第二章 模拟方法介绍 | 第24-36页 |
| 2.1 LED器件模拟的基本理论 | 第24-30页 |
| 2.1.1 基本方程 | 第24-26页 |
| 2.1.2 物理模型 | 第26-30页 |
| 2.2 APSYS软件简介 | 第30-32页 |
| 2.2.1 功能简介 | 第30-31页 |
| 2.2.2 操作简介 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第三章 AlGaN基深紫外LED隧穿结电子结构设计 | 第36-50页 |
| 3.1 模型构建及方法 | 第37-38页 |
| 3.2 AlGaN基深紫外LED隧穿结电子结构设计 | 第38-42页 |
| 3.2.1 隧穿结内Al组分依赖关系 | 第38-39页 |
| 3.2.2 隧穿结内掺杂浓度依赖关系 | 第39-40页 |
| 3.2.3 隧穿结内厚度依赖关系 | 第40-41页 |
| 3.2.4 隧穿结InGaN插入层厚度依赖关系 | 第41-42页 |
| 3.3 隧穿结LED的性能分析 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 第四章 渐变Al组分隧穿结电子结构设计 | 第50-58页 |
| 4.1 模型构建及方法 | 第50-52页 |
| 4.2 渐变Al组分隧穿结电子结构设计 | 第52-54页 |
| 4.3 渐变Al组分隧穿结LED性能分析 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 附录 硕士期间发表论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |