| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 垂直腔面发射激光器（VCSEL）简介 | 第10-11页 |
| 1.2 高速VCSEL的研究背景及研究现状 | 第11-17页 |
| 1.2.1 高速 850 nmVCSEL的研究背景 | 第11-14页 |
| 1.2.2 高速 850 nmVCSEL的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 本论文的研究工作 | 第17-20页 |
| 第2章 高速 850 nm VCSEL基本理论和设计 | 第20-42页 |
| 2.1 VCSEL高速调制基本理论 | 第20-28页 |
| 2.1.1 激光器内部响应 | 第21-25页 |
| 2.1.2 外部寄生参数响应 | 第25-27页 |
| 2.1.3 热效应 | 第27-28页 |
| 2.2 高速 850 nm VCSEL设计 | 第28-36页 |
| 2.2.1 量子阱结构设计 | 第28-30页 |
| 2.2.2 DBR设计 | 第30-34页 |
| 2.2.2.1 渐变结构DBR对微分电阻的优化作用 | 第30-32页 |
| 2.2.2.2 渐变结构DBR的设计 | 第32-34页 |
| 2.2.3 850 nm VCSEL整体结构 | 第34-36页 |
| 2.3 高速 850 nm VCSEL器件制备 | 第36-41页 |
| 2.3.1 工艺流程设计 | 第36-37页 |
| 2.3.2 台面刻蚀工艺 | 第37-40页 |
| 2.3.3 湿氮氧化工艺 | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 BCB平坦化和干湿法刻蚀工艺对高速调制的影响 | 第42-58页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 BCB平坦化技术对 850 nm VCSEL高速调制性能的影响 | 第43-51页 |
| 3.2.1 BCB介绍 | 第43页 |
| 3.2.2 BCB平坦化技术对寄生截止频率的优化 | 第43-46页 |
| 3.2.3 BCB平坦化工艺及VCSEL制备 | 第46-49页 |
| 3.2.4 静态和动态特性测试分析 | 第49-51页 |
| 3.3 干湿法刻蚀工艺对 850 nm VCSEL高速调制性能的影响 | 第51-56页 |
| 3.3.1 干湿法刻蚀对寄生电容的影响 | 第51-53页 |
| 3.3.2 干法刻蚀和湿法腐蚀VCSEL工艺制备流程 | 第53-54页 |
| 3.3.3 静态和动态特性测试分析 | 第54-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 热分布对 850 nm VCSEL高速调制特性的影响 | 第58-72页 |
| 4.1 引言 | 第58-59页 |
| 4.2 不同下台面直径VCSEL的制备和测试 | 第59-61页 |
| 4.2.1 VCSEL工艺制备 | 第59-60页 |
| 4.2.2 VCSEL静态P-I-V特性 | 第60-61页 |
| 4.2.3 小信号调制带宽测试 | 第61页 |
| 4.3 VCSEL微分增益 | 第61-65页 |
| 4.3.1 D因子提取 | 第61-63页 |
| 4.3.2 微分增益计算 | 第63-65页 |
| 4.4 VCSEL热分布模型 | 第65-71页 |
| 4.4.1 热分布模型设计 | 第65-69页 |
| 4.4.1.1 VCSEL产热分析 | 第65-67页 |
| 4.4.1.2 热分布模型建立 | 第67-69页 |
| 4.4.2 热分布模拟及结果 | 第69-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第5章 氧化孔径对 850 nm VCSEL高速调制的影响 | 第72-82页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 不同氧化孔径VCSEL制备和静态测试 | 第72-74页 |
| 5.2.1 VCSEL器件制备 | 第72-73页 |
| 5.2.2 VCSEL静态测试 | 第73-74页 |
| 5.3 VCSEL动态测试 | 第74-79页 |
| 5.3.1 注入电流对VCSEL小信号调制响应的影响 | 第74-77页 |
| 5.3.2 不同氧化孔径VCSEL小信号调制带宽 | 第77-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-82页 |
| 总结与展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-90页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92页 |
