摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-22页 |
1.1 研究背景及意义 | 第12-13页 |
1.2 国内外研究现状 | 第13-19页 |
1.2.1 时域有限差分法 | 第13-17页 |
1.2.2 局部一维时域有限差分法 | 第17-19页 |
1.2.3 时域有限差分法在微带天线中的应用 | 第19页 |
1.3 论文的主要研究内容 | 第19-20页 |
1.4 章节安排 | 第20-22页 |
第2章 时域有限差分法及导体边缘奇异性处理技术研究 | 第22-58页 |
2.1 引言 | 第22页 |
2.2 FDTD基本原理 | 第22-43页 |
2.2.1 FDTD的基本方程 | 第22-27页 |
2.2.2 FDTD的数值理论 | 第27-29页 |
2.2.3 FDTD的吸收边界条件 | 第29-38页 |
2.2.4 FDTD的入射波引入 | 第38-41页 |
2.2.5 FDTD的近远场变换方法 | 第41-43页 |
2.3 非均匀网格技术 | 第43-46页 |
2.3.1 变分网格技术 | 第43-44页 |
2.3.2 亚网格技术 | 第44-46页 |
2.4 基于FDTD的导体边缘奇异性处理技术 | 第46-56页 |
2.4.1 导体边缘电磁场更新方程 | 第47-50页 |
2.4.2 数值结果与分析 | 第50-56页 |
2.5 本章小结 | 第56-58页 |
第3章 局部一维时域有限差分法关键技术研究 | 第58-100页 |
3.1 引言 | 第58页 |
3.2 LOD-FDTD基本原理 | 第58-65页 |
3.2.1 三维LOD-FDTD基本方程 | 第59-63页 |
3.2.2 三维LOD-FDTD稳定性分析 | 第63-65页 |
3.3 LOD2-FDTD基本原理 | 第65-67页 |
3.4 基于LOD2-FDTD的CPML吸收边界条件 | 第67-73页 |
3.4.1 CPML吸收边界的更新方程 | 第68-71页 |
3.4.2 数值结果与分析 | 第71-73页 |
3.5 基于LOD2-FDTD的近远场变换方法 | 第73-79页 |
3.5.1 近远场变换计算方法 | 第73-75页 |
3.5.2 数值结果与分析 | 第75-79页 |
3.6 基于LOD2-FDTD的导体边缘奇异性处理技术 | 第79-89页 |
3.6.1 导体边缘电磁场更新方程 | 第80-83页 |
3.6.2 数值结果与分析 | 第83-89页 |
3.7 基于LOD2-FDTD的亚网格技术 | 第89-97页 |
3.7.1 LOD2-FDTD亚网格技术原理及实现方法 | 第89-92页 |
3.7.2 数值结果与分析 | 第92-97页 |
3.8 本章小结 | 第97-100页 |
第4章 时域有限差分法与局部一维时域有限差分法的混合算法研究 | 第100-120页 |
4.1 引言 | 第100页 |
4.2 基于可跨越介质边界亚网格技术的FDTD与LOD2-FDTD混合算法 | 第100-107页 |
4.2.1 基于可跨越介质边界亚网格技术混合算法的原理与实现方法 | 第101-102页 |
4.2.2 数值结果与分析 | 第102-107页 |
4.3 基于HUYGENS亚网格技术的FDTD与LOD2-FDTD混合算法 | 第107-115页 |
4.3.1 基于Huygens亚网格技术混合算法的原理与实现方法 | 第107-112页 |
4.3.2 数值结果与分析 | 第112-115页 |
4.4 微带天线算例验证对比 | 第115-118页 |
4.5 本章小结 | 第118-120页 |
第5章 混合算法在高功率电磁脉冲辐照下微带天线响应的应用研究 | 第120-162页 |
5.1 引言 | 第120页 |
5.2 微带线馈电微带天线对高功率电磁脉冲响应特性分析 | 第120-132页 |
5.2.1 电磁脉冲入射方向对天线响应的影响 | 第123-127页 |
5.2.2 电磁脉冲极化角度对天线响应的影响 | 第127-128页 |
5.2.3 不同类型电磁脉冲对天线响应的影响 | 第128-130页 |
5.2.4 电磁脉冲参数对天线响应的影响 | 第130-132页 |
5.3 同轴线馈电微带天线对高功率电磁脉冲响应特性分析 | 第132-142页 |
5.3.1 电磁脉冲入射方向对天线响应的影响 | 第134-138页 |
5.3.2 电磁脉冲极化角度对天线响应的影响 | 第138-139页 |
5.3.3 不同类型电磁脉冲对天线响应的影响 | 第139-140页 |
5.3.4 电磁脉冲参数对天线响应的影响 | 第140-142页 |
5.4 微带线馈电 1×4 单元微带天线阵对高功率电磁脉冲响应特性分析 | 第142-151页 |
5.4.1 电磁脉冲入射方向对天线阵响应的影响 | 第143-147页 |
5.4.2 电磁脉冲极化角度对天线阵响应的影响 | 第147-148页 |
5.4.3 不同类型电磁脉冲对天线阵响应的影响 | 第148-150页 |
5.4.4 电磁脉冲参数对天线阵响应的影响 | 第150-151页 |
5.5 同轴线馈电 2×2 单元微带天线阵对高功率电磁脉冲响应特性分析 | 第151-161页 |
5.5.1 电磁脉冲入射方向对天线阵响应的影响 | 第153-157页 |
5.5.2 电磁脉冲极化角度对天线阵响应的影响 | 第157-158页 |
5.5.3 不同类型电磁脉冲对天线阵响应的影响 | 第158-159页 |
5.5.4 电磁脉冲参数对天线阵响应的影响 | 第159-161页 |
5.6 本章小结 | 第161-162页 |
结论 | 第162-166页 |
参考文献 | 第166-178页 |
攻读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第178-180页 |
致谢 | 第180页 |