| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 激光辐照光电探测器的研究目的与意义 | 第7-8页 |
| 1.2.1 研究目的 | 第7页 |
| 1.2.2 研究意义 | 第7-8页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第8-11页 |
| 1.3.1 激光致硅基光电探测器电学性能退化的国外研究现状 | 第8-9页 |
| 1.3.2 激光致硅基光电探测器电学性能退化的国内研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3.3 国内外研究现状对比分析 | 第10-11页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第11-12页 |
| 第二章 硅基PIN光电二极管电学性能基本理论 | 第12-19页 |
| 2.1 硅基PIN光电二极管简介 | 第12页 |
| 2.2 硅基PIN光电二极管中半导体电学性能 | 第12-16页 |
| 2.2.1 硅基PIN光电二极管中载流子浓度与Fermi能级 | 第12-14页 |
| 2.2.2 硅基PIN光电二极管中载流子运动 | 第14页 |
| 2.2.3 硅基PIN光电二极管中载流子寿命 | 第14-15页 |
| 2.2.4 硅基PIN光电二极管中内建电场 | 第15-16页 |
| 2.3 硅基PIN光电二极管电学性能参数 | 第16-18页 |
| 2.3.1 响应度和量子效率 | 第16-17页 |
| 2.3.2 暗电流 | 第17-18页 |
| 2.4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 毫秒脉冲激光致硅基PIN光电二极管损伤的数值研究 | 第19-34页 |
| 3.1 物理模型建立 | 第19-23页 |
| 3.1.1 物理模型中的假设与控制方程 | 第19-21页 |
| 3.1.2 温升致热应力的产生 | 第21-22页 |
| 3.1.3 边界条件与初始条件的确定 | 第22-23页 |
| 3.2 数值模拟结果与讨论 | 第23-32页 |
| 3.2.1 材料物理性质参数 | 第23-24页 |
| 3.2.2 数值模拟结果与讨论 | 第24-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 激光致硅基PIN光电二极管电学性能退化实验研究 | 第34-52页 |
| 4.1 实验系统搭建 | 第34页 |
| 4.2 实验测量结果与讨论 | 第34-49页 |
| 4.3 实验与仿真结果对比分析 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 论文总结 | 第52-53页 |
| 5.2 论文展望 | 第53页 |
| 5.3 论文创新之处 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 硕士期间学术成果情况 | 第58页 |
