高线性宽带非对称SPDT射频开关设计
致谢 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7页 |
1 绪论 | 第10-24页 |
1.1 研究背景论述 | 第10-12页 |
1.2 射频开关芯片研究现状 | 第12-22页 |
1.2.1 射频开关常见工艺 | 第12-16页 |
1.2.2 砷化镓pHEMT工艺简述 | 第16-19页 |
1.2.3 FET型开关的模型 | 第19-21页 |
1.2.4 宽带射频开关现状分析 | 第21-22页 |
1.3 论文主要架构内容安排 | 第22-24页 |
1.3.1 研究内容 | 第22-23页 |
1.3.2 论文组织结构 | 第23-24页 |
2 开关设计理论基础 | 第24-44页 |
2.1 小信号性能参数理论分析 | 第24-30页 |
2.1.1 散射参量理论 | 第24-28页 |
2.1.2 开关的主要性能参数 | 第28-30页 |
2.2 设计方案及拓扑结构选择 | 第30-36页 |
2.2.1 开关电路拓扑结构 | 第30-36页 |
2.2.2 非对称开关拓扑结构 | 第36页 |
2.3 并联支路功率处理能力分析 | 第36-44页 |
2.3.1 串联结构耐受功率分析 | 第36-40页 |
2.3.2 并联结构耐受功率分析 | 第40-44页 |
3 高线性宽带开关芯片设计及仿真 | 第44-66页 |
3.1 具体管芯性能分析 | 第44-47页 |
3.2 三栅管芯的结构设计 | 第47-54页 |
3.3 实际设计中的考虑 | 第54-55页 |
3.3.1 散热收发切换时间问题分析 | 第54-55页 |
3.3.2 负载失配 | 第55页 |
3.4 系统具体电路设计与仿真 | 第55-64页 |
3.4.1 射频微波开关性能指标: | 第56页 |
3.4.2 电路拓扑 | 第56-58页 |
3.4.3 电路关键参数计算 | 第58-60页 |
3.4.4 电路仿真 | 第60-64页 |
3.5 版图设计原则及开关芯片版图 | 第64-66页 |
4 射频微波开关流片及芯片测试 | 第66-80页 |
4.1 流片加工 | 第66-68页 |
4.2 性能测试 | 第68-80页 |
4.2.1 测试准备内容 | 第68-73页 |
4.2.2 测试搭建及流程 | 第73-76页 |
4.2.3 芯片测试结果 | 第76-78页 |
4.2.4 芯片测试结果分析 | 第78-80页 |
5 总结与展望 | 第80-82页 |
5.1 论文研究总结 | 第80-81页 |
5.2 工作展望 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-86页 |
作者简历及在学期间取得的科研成果 | 第86页 |