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高线性宽带非对称SPDT射频开关设计

致谢第5-6页
摘要第6-7页
Abstract第7页
1 绪论第10-24页
    1.1 研究背景论述第10-12页
    1.2 射频开关芯片研究现状第12-22页
        1.2.1 射频开关常见工艺第12-16页
        1.2.2 砷化镓pHEMT工艺简述第16-19页
        1.2.3 FET型开关的模型第19-21页
        1.2.4 宽带射频开关现状分析第21-22页
    1.3 论文主要架构内容安排第22-24页
        1.3.1 研究内容第22-23页
        1.3.2 论文组织结构第23-24页
2 开关设计理论基础第24-44页
    2.1 小信号性能参数理论分析第24-30页
        2.1.1 散射参量理论第24-28页
        2.1.2 开关的主要性能参数第28-30页
    2.2 设计方案及拓扑结构选择第30-36页
        2.2.1 开关电路拓扑结构第30-36页
        2.2.2 非对称开关拓扑结构第36页
    2.3 并联支路功率处理能力分析第36-44页
        2.3.1 串联结构耐受功率分析第36-40页
        2.3.2 并联结构耐受功率分析第40-44页
3 高线性宽带开关芯片设计及仿真第44-66页
    3.1 具体管芯性能分析第44-47页
    3.2 三栅管芯的结构设计第47-54页
    3.3 实际设计中的考虑第54-55页
        3.3.1 散热收发切换时间问题分析第54-55页
        3.3.2 负载失配第55页
    3.4 系统具体电路设计与仿真第55-64页
        3.4.1 射频微波开关性能指标:第56页
        3.4.2 电路拓扑第56-58页
        3.4.3 电路关键参数计算第58-60页
        3.4.4 电路仿真第60-64页
    3.5 版图设计原则及开关芯片版图第64-66页
4 射频微波开关流片及芯片测试第66-80页
    4.1 流片加工第66-68页
    4.2 性能测试第68-80页
        4.2.1 测试准备内容第68-73页
        4.2.2 测试搭建及流程第73-76页
        4.2.3 芯片测试结果第76-78页
        4.2.4 芯片测试结果分析第78-80页
5 总结与展望第80-82页
    5.1 论文研究总结第80-81页
    5.2 工作展望第81-82页
参考文献第82-86页
作者简历及在学期间取得的科研成果第86页

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