| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 单晶生长概述 | 第10-14页 |
| 1.1.1 单晶样品的优势及生长原理 | 第10-12页 |
| 1.1.2 晶体生长方法简介 | 第12-14页 |
| 1.2 高介电常数材料概述 | 第14-16页 |
| 1.3 课题研究背景和意义 | 第16-22页 |
| 1.3.1 二氧化钛基材料单晶生长 | 第16-19页 |
| 1.3.2 铟铌共掺杂二氧化钛的介电性质 | 第19-22页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 光学浮区法生长TiO_2体系单晶及晶体质量表征 | 第23-39页 |
| 2.1 光学浮区法生长TiO_2体系单晶 | 第23-31页 |
| 2.1.1 光学浮区法简介 | 第23-26页 |
| 2.1.2 TiO_2体系单晶生长流程 | 第26页 |
| 2.1.3 多晶料棒制备 | 第26-28页 |
| 2.1.4 多晶料棒XRD表征 | 第28-29页 |
| 2.1.5“缩颈—放肩”工艺及晶体生长条件 | 第29-31页 |
| 2.2 晶体质量表征 | 第31-39页 |
| 2.2.1 晶体化学成分表征 | 第31-33页 |
| 2.2.2 晶体形貌表征 | 第33-34页 |
| 2.2.3 晶体结构表征及晶体定向 | 第34-39页 |
| 第3章 TiO_2体系单晶生长及生长机理 | 第39-59页 |
| 3.1 引言 | 第39页 |
| 3.2 生长条件对纯TiO_2晶体质量的影响 | 第39-46页 |
| 3.2.1 料棒致密性对晶体生长稳定性的影响 | 第39-42页 |
| 3.2.2 气氛及生长速度对晶体质量的影响 | 第42-46页 |
| 3.3 气氛对(InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2晶体质量的影响 | 第46-52页 |
| 3.4 生长速度对(InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2晶体质量的影响 | 第52-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 (InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2单晶介电性质的研究 | 第59-66页 |
| 4.1 介电性质测试方法 | 第59-61页 |
| 4.2 不同厚度(InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2单晶样品的介电性质 | 第61-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
