InGaP光子晶体微腔类EIT效应MZI光开关结构设计与工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 光子技术与光开关 | 第9-12页 |
| 1.2 类EIT效应和PIT效应的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.3 光子晶体及其制备工艺简介 | 第15-17页 |
| 1.4 论文的研究内容及意义 | 第17-19页 |
| 2 理论基础 | 第19-29页 |
| 2.1 类EIT效应 | 第19-21页 |
| 2.2 群折射率和群延时 | 第21-22页 |
| 2.3 光学Kerr效应 | 第22-23页 |
| 2.4 双光子吸收（TPA） | 第23-25页 |
| 2.5 自由载流子等离子色散 | 第25-26页 |
| 2.6 半导体光吸收导致的折射率变化 | 第26-28页 |
| 2.7 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 光开关结构设计与仿真 | 第29-41页 |
| 3.1 光开关材料选择 | 第29-32页 |
| 3.2 开关所需泵浦功率仿真 | 第32-35页 |
| 3.3 光开关结构设计 | 第35-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 类EIT光子晶体MZI光开关工艺 | 第41-61页 |
| 4.1 外延片材料生长 | 第41页 |
| 4.2 光刻 | 第41-45页 |
| 4.3 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 | 第45-53页 |
| 4.4 湿法腐蚀 | 第53-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 5 单腔PIT效应结构设计和仿真 | 第61-68页 |
| 5.1 单腔PIT效应结构与仿真计算方法 | 第61-64页 |
| 5.2 单腔PIT效应仿真结果 | 第64-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 6 总结与展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第77页 |
