| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 综述 | 第10-23页 |
| 1.1 什么是近藤（Kondo）效应 | 第10-15页 |
| 1.1.1 电阻反常 | 第11-13页 |
| 1.1.2 磁化率反常 | 第13-14页 |
| 1.1.3 比热反常 | 第14页 |
| 1.1.4 进一步的理论 | 第14-15页 |
| 1.2 量子点结构的简介 | 第15-22页 |
| 1.2.1 单量子点结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 单量子点（Single quantum dot）结构中的kondo效应 | 第16-18页 |
| 1.2.3 双量子点(DQD)结构中的kondo效应 | 第18-22页 |
| 1.3 Kondo效应的展望 | 第22页 |
| 1.4 本文的研究内容及方法 | 第22-23页 |
| 2 主要研究方法 | 第23-35页 |
| 2.1 推迟格林函数 | 第23-26页 |
| 2.2 非平衡格林函数 | 第26-28页 |
| 2.3 Langreth定理 | 第28页 |
| 2.4 Anderson模型 | 第28-29页 |
| 2.5 运动方程方法 | 第29-30页 |
| 2.6 Slave Bosons技巧 | 第30-32页 |
| 2.7 SBMF理论 | 第32-33页 |
| 2.8 库仑相互作用 | 第33-35页 |
| 3 电子关联效应对T型双量子点系统中的电子输运特性的影响 | 第35-46页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 系统模型 | 第35-39页 |
| 3.3 计算结果及讨论 | 第39-45页 |
| 3.4 小结 | 第45-46页 |
| 4 总结及展望 | 第46-48页 |
| 4.1 总结 | 第46页 |
| 4.2 展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
