| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 主要符号表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第14-16页 |
| 1.1.1 GaN基材料 | 第14-15页 |
| 1.1.2 GaN基场效应晶体管 | 第15-16页 |
| 1.1.3 GaN基晶体管模型 | 第16页 |
| 1.2 本文的研究内容与安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 器件的制备测试和器件工作机理 | 第20-32页 |
| 2.1 GaN异质结材料的生长 | 第20-21页 |
| 2.1.1 外延生长技术 | 第20页 |
| 2.1.2 选取衬底材料 | 第20-21页 |
| 2.2 GaN HEMT的制备工艺 | 第21-22页 |
| 2.3 GaN HEMT的工作机理 | 第22-26页 |
| 2.3.1 典型的GaN HEMT器件结构 | 第22-23页 |
| 2.3.2 GaN HEMT器件的极化电荷 | 第23-25页 |
| 2.3.3 GaN HEMT器件的输运 | 第25页 |
| 2.3.4 GaN HEMT器件的部分物理效应 | 第25-26页 |
| 2.4 GaN HEMT材料与器件的测试 | 第26-28页 |
| 2.5 GaN HEMT的直流特性 | 第28页 |
| 2.6 GaN HEMT的频率特性 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第三章 Virtual Source模型研究AlGaN/GaN HEMT中极化库仑场散射对器件接触区电阻的影响 | 第32-50页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT器件的制备与测试 | 第32-35页 |
| 3.2 Virtual Source模型输运和电荷模型 | 第35-41页 |
| 3.2.1 本征晶体管模型 | 第35-38页 |
| 3.2.1.1 饱和区域 | 第36-37页 |
| 3.2.1.2 非饱和区域 | 第37-38页 |
| 3.2.1.3 GaN的特殊效应 | 第38页 |
| 3.2.2 接触区 | 第38-39页 |
| 3.2.3 沟道电荷模型 | 第39-41页 |
| 3.3 Virtual Source模型模拟得到的电流-电压输出特性与分析 | 第41-42页 |
| 3.4 器件接触区的电阻随漏极电流改变机制的研究 | 第42-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 低温条件下AlN/GaN HEMT中的极化库仑场散射 | 第50-66页 |
| 4.1 AlN/GaN HEMT器件的制备与测试 | 第50-57页 |
| 4.2 准二维模型的计算方法 | 第57-60页 |
| 4.3 低温对AlN/GaN HEMT中的极化库仑场散射的影响 | 第60-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第69-71页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第71页 |
