| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 多功能集成化传感器研究现状 | 第9-20页 |
| 1.1.1 多功能集成化传感器国内研究现状 | 第9-17页 |
| 1.1.2 多功能集成化传感器国外研究现状 | 第17-20页 |
| 1.2 研究目的和意义 | 第20-21页 |
| 1.2.1 研究目的 | 第20-21页 |
| 1.2.2 研究意义 | 第21页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 基于SOI压力和磁场多功能传感器基本结构和工作原理 | 第23-31页 |
| 2.1 基于SOI压力和磁场多功能传感器基本结构 | 第23-24页 |
| 2.2 基于SOI压力和磁场多功能传感器压敏结构工作原理 | 第24-27页 |
| 2.2.1 压阻效应 | 第24-26页 |
| 2.2.2 压敏结构工作原理 | 第26-27页 |
| 2.3 基于SOI压力和磁场多功能传感器磁敏结构工作原理 | 第27-30页 |
| 2.3.1 磁敏二极管理论模型 | 第27-29页 |
| 2.3.2 磁敏二极管理论分析 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 基于SOI压力和磁场多功能传感器特性仿真 | 第31-39页 |
| 3.1 基于SOI压力和磁场多功能传感器压敏特性仿真 | 第31-35页 |
| 3.1.1 硅膜形状和厚度仿真分析 | 第31-34页 |
| 3.1.2 压敏特性仿真结构 | 第34页 |
| 3.1.3 压敏特性仿真结果 | 第34-35页 |
| 3.2 基于SOI压力和磁场多功能传感器磁敏特性仿真 | 第35-38页 |
| 3.2.1 磁敏特性仿真结构模型 | 第36-37页 |
| 3.2.2 磁敏特性仿真结果 | 第37-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 基于SOI压力和磁场多功能传感器芯片结构设计 | 第39-59页 |
| 4.1 基于SOI压力和磁场多功能传感器压敏结构设计 | 第39-58页 |
| 4.1.1 半导体材料选择 | 第39页 |
| 4.1.2 C型硅杯弹性硅膜形状选择 | 第39-54页 |
| 4.1.3 方形硅膜设计 | 第54-55页 |
| 4.1.4 电阻分布位置设计 | 第55-58页 |
| 4.2 基于SOI压力和磁场多功能传感器磁敏结构设计 | 第58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 基于SOI压力和磁场多功能传感器芯片制作与封装 | 第59-64页 |
| 5.1 基于SOI压力和磁场多功能传感器芯片版图设计 | 第59-60页 |
| 5.2 基于SOI压力和磁场多功能传感器芯片制作工艺 | 第60-61页 |
| 5.3 基于SOI压力和磁场多功能传感器芯片封装 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第6章 实验结果与分析 | 第64-82页 |
| 6.1 多功能传感器压敏特性的影响因素 | 第64-68页 |
| 6.1.1 扩散电阻掺杂浓度对压敏特性的影响 | 第64-65页 |
| 6.1.2 扩散电阻尺寸及分布位置对压敏特性的影响 | 第65-67页 |
| 6.1.3 方形硅膜厚度对压敏特性的影响 | 第67-68页 |
| 6.2 多功能传感器压敏结构静态特性 | 第68-77页 |
| 6.2.1 外加磁场B=0 T时,多功能传感器压敏结构静态特性 | 第68-75页 |
| 6.2.2 外加磁场B≠0 T时,多功能传感器压敏结构静态特性 | 第75-77页 |
| 6.3 多功能传感器磁敏特性 | 第77-80页 |
| 6.3.1 外加压力P=0 kPa时，多功能传感器磁敏特性 | 第77-79页 |
| 6.3.2 外加压力P≠0 kPa时，多功能传感器磁敏特性 | 第79-80页 |
| 6.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-90页 |
| 附录 | 第90-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第98页 |
| 攻读学位期间科研项目 | 第98页 |
