| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 热电材料简介 | 第9页 |
| 1.2 基本的热电效应 | 第9-11页 |
| 1.2.1 Seebeck效应 | 第9-10页 |
| 1.2.2 Peltier效应 | 第10页 |
| 1.2.3 Thomson效应 | 第10-11页 |
| 1.3 热电材料在器件中的应用 | 第11-13页 |
| 1.3.1 热电器件的应用与发展简介 | 第11-13页 |
| 1.4 新型半导体硒化铋（Bi_2Se_3）热电材料的研究现状 | 第13-17页 |
| 1.4.1 硒化铋（Bi_2Se_3）材料简介 | 第13-14页 |
| 1.4.2 硒化铋（Bi_2Se_3）热电材料的应用 | 第14-15页 |
| 1.4.3 硒化铋（Bi_2Se_3）热电材料的掺杂概述 | 第15页 |
| 1.4.4 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.5 本论文的研究内容及创新点 | 第17-19页 |
| 1.5.1 论文主要研究内容 | 第17页 |
| 1.5.2 论文的创新点 | 第17-19页 |
| 2 未掺杂Bi_2Se_3热电薄膜材料的制备及表征分析 | 第19-28页 |
| 2.1 实验 | 第19-20页 |
| 2.1.1 实验材料与方法 | 第19-20页 |
| 2.1.2 Bi_2Se_3热电薄膜材料的检测分析 | 第20页 |
| 2.2 Bi_2Se_3热电薄膜材料微结构及特性分析 | 第20-27页 |
| 2.2.1 Bi_2Se_3热电薄膜样品的XRD分析 | 第20-21页 |
| 2.2.2 不同厚度未掺杂Bi_2Se_3薄膜样品的厚度和表面形貌 | 第21-23页 |
| 2.2.3 未掺杂Bi_2Se_3热电材料薄膜样品的热电特性 | 第23-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 Cu掺杂的Cu/Bi_2Se_3热电薄膜的制备及特性研究 | 第28-38页 |
| 3.1 实验 | 第28-29页 |
| 3.1.1 实验材料 | 第28页 |
| 3.1.2 实验方法 | 第28-29页 |
| 3.1.3 Cu/Bi_2Se_3热电薄膜材料的检测分析 | 第29页 |
| 3.2 Cu掺杂的Cu/Bi_2Se_3热电薄膜材料结构及特性分析 | 第29-37页 |
| 3.2.1 Cu/Bi_2Se_3热电薄膜的XRD分析 | 第29-30页 |
| 3.2.2 不同Cu/Bi_2Se_3热电薄膜样品的表面形貌 | 第30-32页 |
| 3.2.3 不同热电材料薄膜热电分析 | 第32-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 Ag掺杂的Ag/Bi_2Se_3热电薄膜材料的制备及特性研究 | 第38-48页 |
| 4.1 实验 | 第38-39页 |
| 4.1.1 实验材料 | 第38页 |
| 4.1.2 实验方法 | 第38-39页 |
| 4.2 Ag掺杂的Ag/Bi_2Se_3热电薄膜材料结构及特性分析 | 第39-46页 |
| 4.2.1 Ag/Bi_2Se_3热电薄膜的XRD分析 | 第39-40页 |
| 4.2.2 不同薄膜样品的表面形貌 | 第40-42页 |
| 4.2.3 不同Ag掺杂Bi_2Se_3热电薄膜样品的热电特性 | 第42-46页 |
| 4.3 小结 | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
