| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 二硫化钼结构 | 第10-12页 |
| 1.2.1 二硫化钼晶体结构 | 第10页 |
| 1.2.2 二硫化钼形貌 | 第10-12页 |
| 1.3 二硫化钼物理性质 | 第12-16页 |
| 1.3.1 二硫化钼光学表征 | 第12-14页 |
| 1.3.2 二硫化钼光电性质 | 第14-15页 |
| 1.3.3 二硫化钼其它性能 | 第15-16页 |
| 1.3.4 二硫化钼器件应用 | 第16页 |
| 1.4 本论文的选题依据和研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 理论计算方法 | 第18-24页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第18-21页 |
| 2.1.1 波恩-奥本海默近似（Born-Oppenheimer, BO） | 第18-19页 |
| 2.1.2 单电子近似及自洽场方法（Hartree-Fock，HF） | 第19-20页 |
| 2.1.3 密度泛函理论 | 第20-21页 |
| 2.2 第一性原理的应用 | 第21-24页 |
| 2.2.1 VASP计算软件包 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Materials Studio软件 | 第22页 |
| 2.2.3 能带结构计算 | 第22页 |
| 2.2.4 电子功函数计算 | 第22-24页 |
| 第3章 层数和间距对MoS_2能带和功函数的影响 | 第24-33页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 理论方法和模型 | 第24-26页 |
| 3.2.1 计算方法和参数 | 第24-25页 |
| 3.2.2 不同层数与间距MoS_2 -slab模型 | 第25-26页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第26-32页 |
| 3.3.0 不同层数N-MoS_2 (0001)-slab的层数能带 | 第26-27页 |
| 3.3.1 不同层数N-MoS_2 (0001)-slab的应变能带 | 第27-28页 |
| 3.3.2 不同层间距离 2-MoS_2 (0001)-slab的间距能带 | 第28-30页 |
| 3.3.3 不同层数与间距MoS_2 (0001)-slab的功函数 | 第30页 |
| 3.3.4 N-MoS_2 (0001)-slab及其不同间距的能带对齐 | 第30-32页 |
| 3.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 硫空位对单层MoS_2能带和功函数的影响 | 第33-44页 |
| 4.1 引言 | 第33页 |
| 4.2 计算方法 | 第33页 |
| 4.3 单层MoS_2含硫原子空位的功函数和能带 | 第33-38页 |
| 4.3.1 单层MoS_2含硫原子空位模型 | 第33-35页 |
| 4.3.2 单层MoS_2含硫原子空位的功函数 | 第35-36页 |
| 4.3.3 单层MoS_2含硫原子空位的能带特性。 | 第36-38页 |
| 4.4 单层MoS_2含氧原子杂质空位的功函数和能带 | 第38-43页 |
| 4.4.1 单层MoS_2含氧原子杂质空位模型 | 第38-40页 |
| 4.4.2 单层MoS_2氧原子杂质空位的功函数。 | 第40-41页 |
| 4.4.3 单层MoS_2氧原子杂质空位能带特性。 | 第41-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 Au/MoS_2空位能带功函数研究 | 第44-54页 |
| 5.1 引言 | 第44页 |
| 5.2 方法和模型 | 第44-53页 |
| 5.2.1 计算方法 | 第44-45页 |
| 5.2.2 Au/MoS_2空位模型及参数 | 第45-48页 |
| 5.2.3 Au/MoS_2硫原子空位分布有效功函数 | 第48-51页 |
| 5.2.4 Au/MoS_2硫原子空位分布的能带特性。 | 第51-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第6章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 总结 | 第54-55页 |
| 6.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间的学术论文 | 第65页 |
