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冷原子量子存储器的实验研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
表格第11-12页
插图第12-15页
第一章 绪论第15-19页
   ·引言第15-16页
   ·论文结构第16-19页
第二章 铷原子的激光冷却与陷俘第19-39页
   ·引言第19页
   ·磁光阱第19-25页
     ·磁光阱基础第19-21页
     ·亚多普勒冷却第21-22页
     ·暗磁光阱和光学黏胶第22-23页
     ·~(87)Rb磁光阱实验系统第23-25页
   ·光偶极阱第25-36页
     ·AC Stark效应和光偶极阱第26-30页
     ·~(87)Rb小失谐偶极光阱实验研究第30-36页
   ·冷原子系综探测手段和方法第36-38页
     ·吸收成像法测量原子数密度和总原子数第36-37页
     ·飞行时间测量原子团温度第37-38页
   ·小结第38-39页
第三章 量子存储方法和技术第39-53页
   ·引言第39-40页
   ·EIT存储第40-43页
   ·DLCZ存储第43-46页
   ·其他存储方法第46-47页
   ·不同存储方法比较第47-49页
   ·量子存储研究现状第49-51页
   ·小结第51-53页
第四章 腔增强光与原子相互作用和环形腔技术第53-69页
   ·引言第53页
   ·谐振腔基础第53-56页
   ·腔与原子相互作用第56-59页
     ·腔与单个原子相互作用第56-58页
     ·腔与原子系综相互作用第58-59页
   ·环形腔和PDH锁腔第59-66页
     ·环形腔与量子存储第59-60页
     ·环形腔设计与搭建第60-63页
     ·PDH锁腔和腔稳定性测试第63-66页
   ·小结第66-69页
第五章 窄带纠缠光子的制备与存储第69-81页
   ·引言第69页
   ·窄带纠缠光子的制备第69-71页
   ·冷原子EIT慢光停光调试第71-73页
     ·大光学厚度冷原子系综第71页
     ·弱相干光的EIT慢光停光调试第71-73页
   ·窄带纠缠光子存储实验装置第73-75页
   ·窄带纠缠光子的存储实验结果第75-80页
     ·频率关联解除验证第75-78页
     ·存储效率和极化保真度第78-79页
     ·存储量子关联和Bell不等式验证第79-80页
   ·小结第80-81页
第六章 窄带纠缠双光子的量子全息存储第81-89页
   ·引言第81页
   ·量子全息存储实验准备第81-84页
     ·量子全息存储第81-82页
     ·实验装置第82-83页
     ·EIT存储优化第83-84页
   ·量子全息存储实验结果第84-87页
     ·存储效率和极化对比度第84-85页
     ·CHSH-Bell不等式验证第85页
     ·光子纠缠态量子层析第85-87页
   ·小结第87-89页
第七章 基于EIT的原子自旋波矢相干现象研究第89-101页
   ·引言第89页
   ·Tripod-type EIT现象和自旋波矢干涉第89-97页
     ·Tripod型Err理论推导第90-91页
     ·实验装置与时序第91-93页
     ·时域分光现象第93-95页
     ·自旋波矢干涉第95-97页
   ·时序控制自旋波矢干涉和梳状EIT透过峰第97-99页
     ·EIT Ramsey干涉第97-98页
     ·EIT梳状透过峰第98-99页
   ·小结第99-101页
第八章 腔增强高读取效率原子自旋波矢与光纠缠制备第101-125页
   ·引言第101-103页
   ·自由空间DLCZ存储第103-108页
     ·实验装置和物理参数第103-104页
     ·主要实验结果第104-108页
   ·腔增强线偏DLCZ存储第108-116页
     ·环形腔存储实验装置第108-111页
     ·环形腔相位补偿第111-112页
     ·不同光学厚度第112-113页
     ·内部读取效率第113-116页
   ·原子态制备|F=1,m_F=0>第116-117页
   ·腔增强高效率极化纠缠制备第117-122页
     ·原子能级和实验参数第117-119页
     ·极化对比度第119-120页
     ·存储寿命与读取效率第120页
     ·CHSH-Bell不等式验证第120-122页
   ·小结第122-125页
第九章 长寿命高效率量子存储器的实现第125-149页
   ·引言第125页
   ·光频移补偿和魔幻陷俘第125-130页
   ·光晶格搭建和原子陷俘第130-134页
     ·光晶格搭建第130-132页
     ·光晶格陷俘原子第132-134页
   ·光晶格陷俘EIT存储实验第134-138页
     ·实验装置第134-135页
     ·时序和能级结构第135-136页
     ·光频移补偿偏置磁场第136-137页
     ·弱相干光EIT存储寿命第137-138页
   ·光晶格陷俘和环形腔增强DLCZ存储实验第138-147页
     ·环形腔搭建和长时间稳定性第138-140页
     ·实验系统主要参数第140页
     ·两种不同的存储模式第140-143页
     ·存储寿命和读取效率第143-145页
     ·初始效率下降的测量与分析第145-146页
     ·单光子量子特性测量第146-147页
   ·小结第147-149页
第十章 总结与展望第149-153页
参考文献第153-171页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第171-173页
致谢第173-175页

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