摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
表格 | 第11-12页 |
插图 | 第12-15页 |
第一章 绪论 | 第15-19页 |
·引言 | 第15-16页 |
·论文结构 | 第16-19页 |
第二章 铷原子的激光冷却与陷俘 | 第19-39页 |
·引言 | 第19页 |
·磁光阱 | 第19-25页 |
·磁光阱基础 | 第19-21页 |
·亚多普勒冷却 | 第21-22页 |
·暗磁光阱和光学黏胶 | 第22-23页 |
·~(87)Rb磁光阱实验系统 | 第23-25页 |
·光偶极阱 | 第25-36页 |
·AC Stark效应和光偶极阱 | 第26-30页 |
·~(87)Rb小失谐偶极光阱实验研究 | 第30-36页 |
·冷原子系综探测手段和方法 | 第36-38页 |
·吸收成像法测量原子数密度和总原子数 | 第36-37页 |
·飞行时间测量原子团温度 | 第37-38页 |
·小结 | 第38-39页 |
第三章 量子存储方法和技术 | 第39-53页 |
·引言 | 第39-40页 |
·EIT存储 | 第40-43页 |
·DLCZ存储 | 第43-46页 |
·其他存储方法 | 第46-47页 |
·不同存储方法比较 | 第47-49页 |
·量子存储研究现状 | 第49-51页 |
·小结 | 第51-53页 |
第四章 腔增强光与原子相互作用和环形腔技术 | 第53-69页 |
·引言 | 第53页 |
·谐振腔基础 | 第53-56页 |
·腔与原子相互作用 | 第56-59页 |
·腔与单个原子相互作用 | 第56-58页 |
·腔与原子系综相互作用 | 第58-59页 |
·环形腔和PDH锁腔 | 第59-66页 |
·环形腔与量子存储 | 第59-60页 |
·环形腔设计与搭建 | 第60-63页 |
·PDH锁腔和腔稳定性测试 | 第63-66页 |
·小结 | 第66-69页 |
第五章 窄带纠缠光子的制备与存储 | 第69-81页 |
·引言 | 第69页 |
·窄带纠缠光子的制备 | 第69-71页 |
·冷原子EIT慢光停光调试 | 第71-73页 |
·大光学厚度冷原子系综 | 第71页 |
·弱相干光的EIT慢光停光调试 | 第71-73页 |
·窄带纠缠光子存储实验装置 | 第73-75页 |
·窄带纠缠光子的存储实验结果 | 第75-80页 |
·频率关联解除验证 | 第75-78页 |
·存储效率和极化保真度 | 第78-79页 |
·存储量子关联和Bell不等式验证 | 第79-80页 |
·小结 | 第80-81页 |
第六章 窄带纠缠双光子的量子全息存储 | 第81-89页 |
·引言 | 第81页 |
·量子全息存储实验准备 | 第81-84页 |
·量子全息存储 | 第81-82页 |
·实验装置 | 第82-83页 |
·EIT存储优化 | 第83-84页 |
·量子全息存储实验结果 | 第84-87页 |
·存储效率和极化对比度 | 第84-85页 |
·CHSH-Bell不等式验证 | 第85页 |
·光子纠缠态量子层析 | 第85-87页 |
·小结 | 第87-89页 |
第七章 基于EIT的原子自旋波矢相干现象研究 | 第89-101页 |
·引言 | 第89页 |
·Tripod-type EIT现象和自旋波矢干涉 | 第89-97页 |
·Tripod型Err理论推导 | 第90-91页 |
·实验装置与时序 | 第91-93页 |
·时域分光现象 | 第93-95页 |
·自旋波矢干涉 | 第95-97页 |
·时序控制自旋波矢干涉和梳状EIT透过峰 | 第97-99页 |
·EIT Ramsey干涉 | 第97-98页 |
·EIT梳状透过峰 | 第98-99页 |
·小结 | 第99-101页 |
第八章 腔增强高读取效率原子自旋波矢与光纠缠制备 | 第101-125页 |
·引言 | 第101-103页 |
·自由空间DLCZ存储 | 第103-108页 |
·实验装置和物理参数 | 第103-104页 |
·主要实验结果 | 第104-108页 |
·腔增强线偏DLCZ存储 | 第108-116页 |
·环形腔存储实验装置 | 第108-111页 |
·环形腔相位补偿 | 第111-112页 |
·不同光学厚度 | 第112-113页 |
·内部读取效率 | 第113-116页 |
·原子态制备|F=1,m_F=0> | 第116-117页 |
·腔增强高效率极化纠缠制备 | 第117-122页 |
·原子能级和实验参数 | 第117-119页 |
·极化对比度 | 第119-120页 |
·存储寿命与读取效率 | 第120页 |
·CHSH-Bell不等式验证 | 第120-122页 |
·小结 | 第122-125页 |
第九章 长寿命高效率量子存储器的实现 | 第125-149页 |
·引言 | 第125页 |
·光频移补偿和魔幻陷俘 | 第125-130页 |
·光晶格搭建和原子陷俘 | 第130-134页 |
·光晶格搭建 | 第130-132页 |
·光晶格陷俘原子 | 第132-134页 |
·光晶格陷俘EIT存储实验 | 第134-138页 |
·实验装置 | 第134-135页 |
·时序和能级结构 | 第135-136页 |
·光频移补偿偏置磁场 | 第136-137页 |
·弱相干光EIT存储寿命 | 第137-138页 |
·光晶格陷俘和环形腔增强DLCZ存储实验 | 第138-147页 |
·环形腔搭建和长时间稳定性 | 第138-140页 |
·实验系统主要参数 | 第140页 |
·两种不同的存储模式 | 第140-143页 |
·存储寿命和读取效率 | 第143-145页 |
·初始效率下降的测量与分析 | 第145-146页 |
·单光子量子特性测量 | 第146-147页 |
·小结 | 第147-149页 |
第十章 总结与展望 | 第149-153页 |
参考文献 | 第153-171页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第171-173页 |
致谢 | 第173-175页 |