| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-41页 |
| ·金属绝缘体转变研究概述 | 第13-16页 |
| ·相变简介 | 第13-14页 |
| ·金属绝缘体转变简介及研究现状 | 第14-16页 |
| ·正电子湮没技术简介 | 第16-30页 |
| ·正电子湮没技术发展历史 | 第16-17页 |
| ·正电子湮没谱学基本原理 | 第17-22页 |
| ·正电子湮没谱学实验技术 | 第22-28页 |
| ·利用正电子湮没技术研究材料的优势 | 第28-30页 |
| ·理论计算方法简介 | 第30-36页 |
| ·第一性原理计算方法简介 | 第30-32页 |
| ·电荷态缺陷形成能计算 | 第32-35页 |
| ·中性原子叠加法计算正电子寿命简介 | 第35-36页 |
| ·本论文的工作简介 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第2章 Ni_(1-x)S材料金属绝缘体相变机制的研究 | 第41-67页 |
| ·NiS金属绝缘体相变研究概述 | 第41-45页 |
| ·实验部分 | 第45-46页 |
| ·样品的制备 | 第45页 |
| ·晶体结构与电阻测试 | 第45-46页 |
| ·正电子湮没测量 | 第46页 |
| ·正电子寿命与第一性原理计算 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 第3章 Cu_(2-x)Se化合物结构相变及热电性质的研究 | 第67-97页 |
| ·热电材料概述 | 第67-75页 |
| ·热电材料的研究背景及意义 | 第67页 |
| ·影响材料热电性能的因素 | 第67-72页 |
| ·提高材料热电性能的途径 | 第72-73页 |
| ·Cu_2Se热电性能的研究进展及选题意义 | 第73-75页 |
| ·实验部分 | 第75-77页 |
| ·Cu_(2-x)Se多晶的制备 | 第75页 |
| ·物相分析手段 | 第75-76页 |
| ·热电性质测试 | 第76页 |
| ·正电子湮没技术测试 | 第76-77页 |
| ·第一性原理计算 | 第77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 第4章 缺陷对VO_2薄膜金属绝缘体转变影响的研究 | 第97-123页 |
| ·VO_2金属绝缘体转变研究概述 | 第97-107页 |
| ·VO_2金属绝缘体转变的特点 | 第97-100页 |
| ·VO_2金属绝缘体转变机制的研究 | 第100-102页 |
| ·VO_2薄膜的应用前景 | 第102-104页 |
| ·缺陷对VO_2薄膜金属绝缘体转变的影响研究综述 | 第104-107页 |
| ·实验部分 | 第107-109页 |
| ·样品制备 | 第107-108页 |
| ·物相表征及性能测试 | 第108-109页 |
| ·正电子湮没测量 | 第109页 |
| ·第一性原理计算缺陷形成能 | 第109页 |
| ·结果与讨论 | 第109-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-123页 |
| 第5章 总结与展望 | 第123-127页 |
| ·总结 | 第123-124页 |
| ·创新之处 | 第124-125页 |
| ·展望 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-129页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第129页 |
