| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| 第二章 nc-Si:H 薄膜的光电导和电学的测试系统 | 第18-33页 |
| ·傅立叶光谱学及Nicolet Nexus 870 傅立叶红外光谱仪 | 第18-24页 |
| ·傅立叶变换光谱学的基本原理 | 第18-21页 |
| ·傅立叶变换光谱的优点 | 第21-22页 |
| ·傅立叶透射/吸收光谱实验介绍 | 第22-24页 |
| ·光电导谱实验装置 | 第24页 |
| ·Keithely 2400 Series SourceMeter 电流源/电压源表 | 第24-26页 |
| ·霍耳效应实验方法和测试系统的介绍 | 第26-29页 |
| ·Labram HR 800显微激光拉曼光谱仪 | 第29-30页 |
| ·Oxford Optistat 杜瓦仪 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 nc-Si:H 薄膜的制备和表征 | 第33-63页 |
| ·硅基材料的分类 | 第33-35页 |
| ·纳米硅的制备方法 | 第35-41页 |
| ·氢化纳米硅薄膜的生长机制 | 第41-49页 |
| ·微观和宏观的生长机制 | 第42-47页 |
| ·氢的晶化和非晶化作用 | 第47-49页 |
| ·氢化纳米硅薄膜样品的制备和表征 | 第49-61页 |
| ·氢化纳米硅薄膜样品的制备 | 第49-50页 |
| ·远红外(FIR)透射谱测试 | 第50-52页 |
| ·X 射线衍射(XRD)测试 | 第52-56页 |
| ·拉曼(Raman)测试 | 第56-59页 |
| ·高分辨率透射电镜(HRTEM)测试 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 nc-Si:H 薄膜光电导的研究分析 | 第63-82页 |
| ·光电导现象的简介 | 第63-65页 |
| ·半导体薄膜光电导的理论模型 | 第65-73页 |
| ·量子效率和光学产生率 g ( hω） | 第65-66页 |
| ·半导体薄膜带间激发光电导输运方程 | 第66-71页 |
| ·光电导谱和光学参数的关系 | 第71-73页 |
| ·nc-Si:H 薄膜的光电导实验结果 | 第73-76页 |
| ·nc-Si:H 薄膜的光电导理论结果 | 第76-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第五章 nc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结光电导的研究分析 | 第82-111页 |
| ·纳米硅薄膜p-n异质结能带特性 | 第82-90页 |
| ·反型异质结和同型异质结 | 第82页 |
| ·缓变结与突变结 | 第82-85页 |
| ·纳米硅薄膜p-n 异质结能带 | 第85-90页 |
| ·nc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结光电导的理论模型 | 第90-94页 |
| ·半导体耗尽区的光电流效应 | 第90-94页 |
| ·晶态比对nc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结的光电导的影响 | 第94-99页 |
| ·温度对nc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结的光电导的影响 | 第99-109页 |
| 参考文献 | 第109-111页 |
| 第六章 结论 | 第111-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录及奖励 | 第117页 |
