| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·有机电致发光器件的发展及应用前景 | 第11-13页 |
| ·有机电致发光器件的发展 | 第11-13页 |
| ·有机电致发光器件的应用前景 | 第13页 |
| ·有机电致发光的基本原理 | 第13-14页 |
| ·低压驱动的意义及实现方法 | 第14-16页 |
| ·低压驱动的意义 | 第14-15页 |
| ·实现低压驱动的方法 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 采用Bphen掺杂CuPc为电子注入层的低压驱动的OLED器件的性能研究 | 第18-27页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·器件结构设计 | 第18-21页 |
| ·性能研究 | 第21-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 利用MoO_3/NPB量子阱结构作为空穴传输层的OLED器件的性能研究 | 第27-35页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·不同厚度的MoO_3 单一空穴器件的制备与研究 | 第27-29页 |
| ·不同厚度的MoO_3 单一空穴器件的制备 | 第27-28页 |
| ·不同厚度的MoO_3 单一空穴器件性能的研究 | 第28-29页 |
| ·量子阱器件的制备和研究 | 第29-34页 |
| ·量子阱器件的制备 | 第29页 |
| ·具有量子阱结构器件的发光性能研究 | 第29-32页 |
| ·量子阱结构作为空穴传输层的单一空穴器件的性能研究 | 第32-33页 |
| ·量子阱器件的光谱的研究 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 采用C_(60)和Alq_3分别作为电子传输层和缓冲层低压驱动OLED器件的性能研究 | 第35-44页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·OLED器件的制备 | 第35-38页 |
| ·C_(60)厚度的优化及器件性能研究 | 第35-37页 |
| ·C_(60)和Alq_3分别作为电子传输层和缓冲层的器件的制备 | 第37-38页 |
| ·C_(60)和Alq_3分别作为电子传输层和缓冲层的器件的光谱研究 | 第38-39页 |
| ·C_(60)和Alq_3分别作为电子传输层和缓冲层的OLED器件的性能研究 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 结合量子阱与C_(60)/Alq_3结构低压驱动的OLED器件的性能研究 | 第44-49页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·MoO_3厚度优化的实验设计及性能分析 | 第44-46页 |
| ·基于量子阱与C_(60)/Alq_3结构相结合的器件性能分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第49-51页 |
| ·全文总结 | 第49-50页 |
| ·后续工作展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
