摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第一章 绪论 | 第12-14页 |
第二章 文献综述 | 第14-26页 |
·普通硅溶胶的制备方法 | 第14-15页 |
·离子交换法 | 第14页 |
·单质硅一步溶解法 | 第14-15页 |
·直接酸化法(酸中和法) | 第15页 |
·电解电渗析法 | 第15页 |
·胶溶法 | 第15页 |
·几种制备方法的比较 | 第15页 |
·离子交换技术 | 第15-17页 |
·离子交换树脂的结构 | 第15-16页 |
·离子交换树脂的选择性 | 第16页 |
·离子交换原理 | 第16-17页 |
·硅溶胶的应用 | 第17-18页 |
·在化学工业中的应用 | 第17页 |
·在精密铸造中的应用 | 第17页 |
·在纺织工业中的应用 | 第17-18页 |
·在造纸工业中的应用 | 第18页 |
·在电子工业中的应用 | 第18页 |
·SiO_2气凝胶的概述 | 第18-19页 |
·SiO_2气凝胶的制备现状 | 第19-24页 |
·溶胶凝胶过程 | 第19-21页 |
·凝胶陈化 | 第21-23页 |
·凝胶老化 | 第21-22页 |
·低表面张力溶剂交换 | 第22页 |
·表面改性 | 第22-23页 |
·凝胶干燥 | 第23-24页 |
·气凝胶的应用 | 第24-26页 |
·气凝胶在催化中的应用 | 第24页 |
·作为声阻抗耦合材料 | 第24-25页 |
·气凝胶在集成电路中的应用 | 第25页 |
·作为透明隔热材料 | 第25页 |
·气凝胶在医学和生命科学领域的应用 | 第25-26页 |
第三章 实验内容与研究方法 | 第26-34页 |
·实验方案 | 第26-27页 |
·离子交换法制备硅溶胶及强酸型阳离子交换树脂的再生 | 第26页 |
·超亲水二氧化硅薄膜的制备 | 第26页 |
·超疏水SiO_2气凝胶薄膜的制备 | 第26页 |
·主要创新点 | 第26-27页 |
·实验、测试设备及试剂 | 第27-34页 |
·接触角测量仪 | 第27页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
·紫外-可见-近红外分光光度计(UV/VIS/NIR) | 第28-29页 |
·椭圆偏振光谱测试仪 | 第29页 |
·傅里叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第29-30页 |
·表面台阶仪 | 第30-31页 |
·电感耦合等离子体质谱(ICP-MS) | 第31页 |
·浸渍-提拉设备 | 第31-32页 |
·其他实验设备及试剂 | 第32-34页 |
第四章 硅溶胶的制备与树脂的再生 | 第34-40页 |
·引言 | 第34页 |
·实验 | 第34-35页 |
·硅溶胶制备以及树脂再生 | 第34-35页 |
·硅溶胶的表征方法 | 第35页 |
·结果与讨论 | 第35-38页 |
·Na_2SiO_3溶液浓度对溶胶pH值的影响 | 第35-36页 |
·Na_2SiO_3溶液浓度对溶胶中杂质元素含量的影响 | 第36-37页 |
·Na_2SiO_3溶液浓度对溶胶中硅颗粒大小及形貌的影响 | 第37-38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
第五章 超亲水薄膜的制备及表征 | 第40-52页 |
·引言 | 第40页 |
·实验 | 第40-41页 |
·SiO_2超亲水薄膜的制备方法 | 第40-41页 |
·表征方法 | 第41页 |
·结果与讨论 | 第41-50页 |
·不同的粘结剂对SiO_2薄膜形貌及性能的影响 | 第41-44页 |
·不同的煅烧温度对SiO_2薄膜形貌及性能的影响 | 第44-50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
第六章 超疏水SiO_2气凝胶薄膜的制备及表征 | 第52-66页 |
·引言 | 第52-53页 |
·实验 | 第53页 |
·SiO_2气凝胶薄膜的制备方法 | 第53页 |
·SiO_2气凝胶薄膜的表征方法 | 第53页 |
·结果与讨论 | 第53-63页 |
·Na_2SiO_3溶液浓度对SiO_2气凝胶薄膜形貌及性能的影响 | 第53-56页 |
·浸渍提拉次数对SiO_2气凝胶薄膜厚度、形貌及性能的影响 | 第56-57页 |
·老化时间对SiO_2气凝胶薄膜形貌及物理性能的影响 | 第57-59页 |
·不同的改性剂对SiO_2气凝胶薄膜形貌、透过率及性能的影响 | 第59-62页 |
·表面修饰反应机理 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-66页 |
第七章 结论 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-74页 |
致谢 | 第74-76页 |
个人简历 | 第76-78页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第78页 |