| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·多孔硅纳米线的制备及原理 | 第10-17页 |
| ·重掺p-Si-(100)型Si片 | 第11-12页 |
| ·重掺n-Si-(100)型Si片 | 第12-14页 |
| ·重掺p-Si-(111)型Si片 | 第14-16页 |
| ·轻掺Si-(100)型Si片 | 第16-17页 |
| ·硅纳米线的性能调控 | 第17-24页 |
| ·硅纳米线的多孔性 | 第17页 |
| ·硅纳米线的取向 | 第17-21页 |
| ·多孔硅纳米线的光学性能 | 第21-23页 |
| ·多孔硅纳米线的电学性能 | 第23-24页 |
| ·多孔硅纳米线的应用 | 第24-27页 |
| ·光催化 | 第24-25页 |
| ·药物运输载体 | 第25-26页 |
| ·气敏 | 第26-27页 |
| ·锂离子电池 | 第27页 |
| ·本文主要研究内容和思路 | 第27-30页 |
| 第二章 实验内容与性能表征 | 第30-36页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验原料与设备 | 第30-31页 |
| ·实验原料 | 第30-31页 |
| ·实验设备 | 第31页 |
| ·实验过程与步骤 | 第31-33页 |
| ·多孔硅纳米线阵列的制备 | 第31-32页 |
| ·硅纳米线阵列的表面钝化 | 第32页 |
| ·硅纳米线阵列对乙醇的PL响应测试 | 第32-33页 |
| ·材料表征手段 | 第33-36页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第33页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第33-34页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第34页 |
| ·比表面积测试(BET) | 第34页 |
| ·常温光致发光光谱(PL) | 第34-36页 |
| 第三章 硅纳米线阵列的形貌调控 | 第36-44页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·重掺p-Si-(100)衬底上制得的纳米线阵列形貌 | 第36-38页 |
| ·重掺p-Si-(111)衬底上制得的纳米线阵列形貌 | 第38-40页 |
| ·刻蚀剂中氧化剂浓度较低时硅纳米线阵列的形貌 | 第38-39页 |
| ·刻蚀剂中氧化剂浓度较高时硅纳米线阵列的形貌 | 第39-40页 |
| ·刻蚀剂中氧化剂浓度对硅纳米线取向的影响 | 第40页 |
| ·重掺n-Si-(111)衬底上制得的纳米线阵列形貌 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 硅纳米线阵列的光学性能调控 | 第44-54页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·多孔硅纳米线阵列的光学性质 | 第44-47页 |
| ·多孔硅纳米线阵列的本征常温PL光谱 | 第44-45页 |
| ·硅纳米线多孔结构的形成 | 第45-46页 |
| ·硅纳米线阵列的多孔结构与其光学性质的关系 | 第46-47页 |
| ·刻蚀剂中氧化剂浓度对纳米线光学性能的影响 | 第47-48页 |
| ·原材料衬底取向对纳米线光学性能的影响 | 第48-49页 |
| ·掺杂元素对纳米线光学性能的影响 | 第49-51页 |
| ·n-Si-(100)衬底上制备的Si NWs阵列的光学性质 | 第49-50页 |
| ·不同掺杂元素的<111>取向Si衬底上形成纳米线阵列的光学性质 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 硅纳米线阵列的表面钝化与光学性能提升研究 | 第54-62页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·硅纳米线阵列的表面钝化 | 第55-56页 |
| ·原子层沉积(ALD) | 第55页 |
| ·硅纳米线阵列的表面钝化 | 第55-56页 |
| ·表面钝化对硅纳米线阵列光学性能的影响 | 第56-59页 |
| ·表面钝化对硅纳米线阵列光学性能的影响机理 | 第57-58页 |
| ·不同钝化层材料 | 第58页 |
| ·不同钝化层厚度 | 第58-59页 |
| ·表面钝化对硅纳米线阵列探测稳定性的影响 | 第59-61页 |
| ·多孔硅纳米结构的传感特性 | 第59页 |
| ·表面钝化对硅纳米线阵列探测稳定性的影响 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 个人简历 | 第72-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第74页 |
