石墨烯及其复合物的化学气相沉积法制备与性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·石墨烯的发现 | 第10-12页 |
| ·石墨烯的结构与性能 | 第12-15页 |
| ·石墨烯的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·石墨烯的电子能带结构 | 第13页 |
| ·石墨烯的边界 | 第13-14页 |
| ·石墨烯的性能 | 第14-15页 |
| ·石墨烯的制备 | 第15-17页 |
| ·微机械剥离法 | 第15-16页 |
| ·SiC外延生长法 | 第16页 |
| ·氧化石墨还原法 | 第16页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第16-17页 |
| ·石墨烯的应用 | 第17-21页 |
| ·电子器件 | 第17-21页 |
| ·石墨烯复合材料 | 第21页 |
| ·本论文的研究目的和主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 石墨烯以及衬底的表征方法 | 第23-33页 |
| ·石墨烯的表征 | 第23-30页 |
| ·拉曼光谱 | 第23-25页 |
| ·光学显微镜 | 第25-26页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| ·紫外-可见光(UV-VIS)光谱测试 | 第28-29页 |
| ·四探针测试 | 第29-30页 |
| ·铜箔衬底的表征 | 第30-33页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第30-31页 |
| ·电子背散射衍射(EBSD) | 第31-33页 |
| 第三章 CVD法在铜箔上制备石墨烯 | 第33-61页 |
| ·引言 | 第33-34页 |
| ·实验设备、试剂及实验过程 | 第34-38页 |
| ·实验设备 | 第34-35页 |
| ·实验试剂 | 第35-36页 |
| ·铜箔上石墨烯的制备过程 | 第36-37页 |
| ·石墨烯的转移 | 第37-38页 |
| ·石墨烯生长初期的研究及形貌控制 | 第38-46页 |
| ·甲烷-氢气比对石墨烯初始形貌的影响 | 第41-42页 |
| ·压强对石墨烯初始形貌的影响 | 第42-44页 |
| ·衬底取向对石墨烯初始形貌的影响 | 第44-46页 |
| ·石墨烯薄膜的制备 | 第46-51页 |
| ·温度的影响 | 第46-48页 |
| ·甲烷-氢气比的影响 | 第48-49页 |
| ·压强的影响 | 第49-50页 |
| ·降温速率的影响 | 第50-51页 |
| ·单层石墨烯的制备及表征 | 第51-55页 |
| ·SEM图像分析 | 第51-52页 |
| ·光学显微镜和拉曼光谱分析 | 第52-54页 |
| ·AFM图像分析 | 第54-55页 |
| ·石墨烯的光电性能测试 | 第55-59页 |
| ·石墨烯透光性能分析 | 第55-56页 |
| ·石墨烯薄膜电阻分析 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 Cu_xO/石墨烯复合薄膜的制备 | 第61-71页 |
| ·引言 | 第61-62页 |
| ·铜氧化合物/石墨烯复合薄膜的制备和表征 | 第62-66页 |
| ·铜氧化合物/石墨烯复合薄膜的制备 | 第62页 |
| ·铜氧化合物/石墨烯复合薄膜的表征 | 第62-66页 |
| ·生长参数对铜氧化合物/石墨烯复合薄膜的影响 | 第66-70页 |
| ·甲烷-氢气比的影响 | 第66-68页 |
| ·生长压强的影响 | 第68-69页 |
| ·降温气氛的影响 | 第69-70页 |
| ·温度的影响 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| ·全文总结 | 第71-72页 |
| ·展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 个人简介 | 第83-85页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他成果 | 第85页 |
