| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·前言 | 第10-11页 |
| ·辐照环境及辐照缺陷 | 第11-20页 |
| ·辐照环境 | 第11-12页 |
| ·辐照粒子与硅晶格原子相互作用 | 第12-13页 |
| ·辐照缺陷的产生 | 第13-15页 |
| ·辐照缺陷结构 | 第15-20页 |
| ·掺锗直拉硅单晶材料及器件的性能 | 第20-23页 |
| ·掺锗对直拉硅单晶材料的影响 | 第20-22页 |
| ·掺锗对硅基器件性能的影响 | 第22-23页 |
| ·掺锗直拉硅单晶材料及器件的抗辐照性能研究现状 | 第23-26页 |
| ·本文研究方向 | 第26-28页 |
| 第二章 实验方法 | 第28-30页 |
| ·样品制备 | 第28-29页 |
| ·实验方法与测试手段 | 第29-30页 |
| 第三章 掺锗对中子辐照直拉硅PN结二极管电学性能的影响 | 第30-42页 |
| 摘要 | 第30页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验 | 第31页 |
| ·实验结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·快中子辐照后二极管的C-V特性 | 第31-33页 |
| ·快中子辐照后二极管的正向Ⅰ-Ⅴ特征 | 第33-37页 |
| ·快中子辐照后二极管的反向Ⅰ-Ⅴ特性 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-42页 |
| 第四章 掺锗对直拉硅材料中的中子辐照缺陷的影响 | 第42-52页 |
| 摘要 | 第42页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验 | 第43页 |
| ·关于中子辐照后空位-氧缺陷热演变实验 | 第43页 |
| ·关于中子辐照后硅片电学性能变化实验 | 第43页 |
| ·掺锗对中子辐照引入空位型缺陷的影响 | 第43-47页 |
| ·掺锗对中子辐照引起的电学性质变化的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-52页 |
| 第五章 掺锗对中子辐照后直拉硅中氧沉淀的影响 | 第52-58页 |
| 摘要 | 第52页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验 | 第53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 个人简历 | 第68-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第70页 |