硅晶圆环保型水基复合磨料超精密抛光实验与理论研究—磨料制备及其应用研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·课题的研究背景 | 第7-8页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·平坦化技术 | 第7-8页 |
| ·CMP 技术及其影响因素 | 第8-15页 |
| ·抛光液 | 第9-13页 |
| ·抛光垫 | 第13-14页 |
| ·抛光工艺参数 | 第14-15页 |
| ·PH 值 | 第15页 |
| ·氧化铈的制备技术 | 第15-16页 |
| ·CMP 机理的国内外研究现状 | 第16-18页 |
| ·复合磨料抛光液发展现状 | 第18-19页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 水解法制备单分散氧化硅内核 | 第20-27页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·实验部分 | 第20-22页 |
| ·化学试剂 | 第20页 |
| ·实验所用的仪器及设备 | 第20-21页 |
| ·实验 | 第21-22页 |
| ·测试与表征 | 第22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-25页 |
| ·表面活性剂浓度的影响 | 第22-25页 |
| ·水解温度的影响 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 均相沉淀法制备 CeO_2@SiO_2 | 第27-34页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·实验 | 第27-32页 |
| ·实验设备及仪器 | 第27-28页 |
| ·化学试剂 | 第28页 |
| ·实验 | 第28-32页 |
| ·复合颗粒的表征 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 纳米氧化铈/氧化硅复合磨粒抛光性能研究 | 第34-50页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·实验 | 第35-45页 |
| ·实验设备及仪器 | 第35页 |
| ·化学试剂 | 第35-36页 |
| ·实验 | 第36-45页 |
| ·抛光后硅片表面形貌分析 | 第45-47页 |
| ·复合磨料硅片抛光的机理分析 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第50页 |
| ·创新点 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附录: 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第56页 |
