压力传感器的设计与封装技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·传感器与MEMS技术 | 第8-11页 |
| ·MEMS压力传感器 | 第9-10页 |
| ·MEMS器件的封装 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·压力传感器发展历史 | 第11页 |
| ·国内外研究情况 | 第11-13页 |
| ·压力传感器的封装概况 | 第13页 |
| ·论文研究内容与安排 | 第13-15页 |
| 第二章 压力传感器理论及有限元法简介 | 第15-31页 |
| ·压阻式压力传感器原理 | 第15-25页 |
| ·压阻效应与压阻系数 | 第15-21页 |
| ·压阻式压力传感器的电路结构 | 第21-23页 |
| ·传感器的温度补偿 | 第23-25页 |
| ·硅-玻静电键合 | 第25-29页 |
| ·静电键合原理 | 第25-26页 |
| ·静电键合强度 | 第26-27页 |
| ·硅-玻静电键合对压力传感器影响 | 第27-29页 |
| ·有限元方法简介 | 第29-31页 |
| 第三章 压力传感器芯片设计 | 第31-52页 |
| ·芯片的硅杯制造工艺 | 第31-32页 |
| ·薄膜尺寸与厚度 | 第32-39页 |
| ·方形膜片的变形理论 | 第32-37页 |
| ·方形膜片的尺寸与厚度设计 | 第37-39页 |
| ·电桥电阻设计 | 第39-48页 |
| ·电阻位置 | 第41-44页 |
| ·掺杂浓度和掺杂类型 | 第44-46页 |
| ·电阻的阻值 | 第46-47页 |
| ·电阻的宽度与长度 | 第47-48页 |
| ·芯片的结构和性能 | 第48-50页 |
| ·灵敏度温度漂移的补偿 | 第50-52页 |
| 第四章 压力传感器静电键合设计及实验 | 第52-73页 |
| ·压力传感器封装的有限元分析 | 第52-61页 |
| ·器件建模 | 第52-53页 |
| ·仿真分析 | 第53-61页 |
| ·硅-玻静电键合的参数设置 | 第61-63页 |
| ·键合的电流和电压 | 第61-62页 |
| ·键合的温度和压力 | 第62-63页 |
| ·硅-玻静电键合实验平台设计 | 第63-65页 |
| ·加热炉 | 第63-64页 |
| ·直流高压稳压电源 | 第64页 |
| ·静电键合装置 | 第64-65页 |
| ·键合实验的调试 | 第65-67页 |
| ·键合结果分析及参数优化 | 第67-73页 |
| ·直观观测分析 | 第67-70页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第70-73页 |
| 第五章 结论与展望 | 第73-75页 |
| ·全文总结 | 第73页 |
| ·改进意见及展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 在学期间的研究成果 | 第78页 |
