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铅盐窄带半导体异质结构的制备与研究

绪论第1-11页
第一章 热壁外延第11-15页
   ·HWE 技术第11-12页
   ·实验装置第12-15页
     ·HWE 设备图第12-13页
     ·HWE 炉子第13-15页
第二章 PbTe 在Si 衬底上的生长第15-28页
   ·Si 衬底的处理第15-18页
   ·PbTe 在Si 衬底上的生长第18页
   ·测试与分析第18-28页
     ·X-光衍射(XRD)测试与分析第18-19页
     ·PbTe 在Si(111)上生长的TEM 研究第19-23页
       ·TEM 样品的制备第19-21页
       ·观测结果第21-23页
     ·PbTe 在Si(111)衬底上生长机理的研究第23-28页
       ·成核阶段的SEM 观测第23-24页
       ·衬底表面重构对PbTe 生长的影响第24-28页
第三章 n-PbTe/p-Si 异质结的测试第28-40页
   ·n-PbTe/p-Si 异质结的I~V 测量第28-29页
   ·n-PbTe/p-Si 异质结的 C~V 测量及内建电势差的获得第29-33页
   ·能带偏移和界面能带图第33-35页
   ·光伏效应第35-40页
     ·实验装置第36-37页
     ·实验结果第37-40页
第四章 PbTe/PbSnTe 超晶格第40-45页
   ·材料制备第41页
   ·PbTe/PbSnTe 超晶格的SEM 观测第41-42页
   ·PbTe/PbSnTe 超晶格的XRD 测试第42-45页
结论第45-46页
参考文献第46-48页
中文摘要第48-49页
英文摘要第49-50页
致谢第50页

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