绪论 | 第1-11页 |
第一章 热壁外延 | 第11-15页 |
·HWE 技术 | 第11-12页 |
·实验装置 | 第12-15页 |
·HWE 设备图 | 第12-13页 |
·HWE 炉子 | 第13-15页 |
第二章 PbTe 在Si 衬底上的生长 | 第15-28页 |
·Si 衬底的处理 | 第15-18页 |
·PbTe 在Si 衬底上的生长 | 第18页 |
·测试与分析 | 第18-28页 |
·X-光衍射(XRD)测试与分析 | 第18-19页 |
·PbTe 在Si(111)上生长的TEM 研究 | 第19-23页 |
·TEM 样品的制备 | 第19-21页 |
·观测结果 | 第21-23页 |
·PbTe 在Si(111)衬底上生长机理的研究 | 第23-28页 |
·成核阶段的SEM 观测 | 第23-24页 |
·衬底表面重构对PbTe 生长的影响 | 第24-28页 |
第三章 n-PbTe/p-Si 异质结的测试 | 第28-40页 |
·n-PbTe/p-Si 异质结的I~V 测量 | 第28-29页 |
·n-PbTe/p-Si 异质结的 C~V 测量及内建电势差的获得 | 第29-33页 |
·能带偏移和界面能带图 | 第33-35页 |
·光伏效应 | 第35-40页 |
·实验装置 | 第36-37页 |
·实验结果 | 第37-40页 |
第四章 PbTe/PbSnTe 超晶格 | 第40-45页 |
·材料制备 | 第41页 |
·PbTe/PbSnTe 超晶格的SEM 观测 | 第41-42页 |
·PbTe/PbSnTe 超晶格的XRD 测试 | 第42-45页 |
结论 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-48页 |
中文摘要 | 第48-49页 |
英文摘要 | 第49-50页 |
致谢 | 第50页 |