| 摘要 | 第1-5页 |
| AbStract | 第5-8页 |
| 1.绪论 | 第8-20页 |
| ·选题意义 | 第8页 |
| ·微波-ECR等离子体增强溅射沉积简介 | 第8-11页 |
| ·微波-ECR等离子体源的特点 | 第8-9页 |
| ·微波-ECR等离子体增强溅射沉积装置 | 第9-11页 |
| ·DLC膜发展现状、性能、应用及存在的问题 | 第11-19页 |
| ·类金刚石膜简介 | 第11-12页 |
| ·类金刚石膜的发展 | 第12-13页 |
| ·类金刚石膜的性能 | 第13-14页 |
| ·类金刚石膜的应用 | 第14-16页 |
| ·类金刚石膜的制备方法 | 第16-18页 |
| ·DLC膜中存在的主要问题及改性 | 第18-19页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| 2. 朗缪尔单探针诊断 | 第20-29页 |
| ·实验装置 | 第20-22页 |
| ·探针装置 | 第20-21页 |
| ·探针诊断系统装置 | 第21-22页 |
| ·朗缪尔探针 | 第22-24页 |
| ·探针诊断的必要性 | 第22页 |
| ·朗缪尔探针的工作原理[39] | 第22-24页 |
| ·由单探针I-V特性曲线获取等离子体参数 | 第24页 |
| ·探针诊断实验结果及讨论 | 第24-28页 |
| ·探针测量ECR等离子体参量的特性 | 第24-26页 |
| ·气体流量(工作气压)与等离子体参量的关系 | 第26页 |
| ·靶电流与等离子体参量之间的关系 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3. Si-DLC膜的制备和表征 | 第29-35页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·沉积薄膜的实验过程 | 第29-31页 |
| ·基体及前处理方法 | 第29-31页 |
| ·薄膜的沉积 | 第31页 |
| ·薄膜的表征 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 4. 硅靶溅射偏压对Si-DLC膜结构和性能的影响 | 第35-50页 |
| ·Si-DLC膜的沉积 | 第35页 |
| ·薄膜的生长速率 | 第35-36页 |
| ·类金刚石膜的化学结构表征 | 第36-41页 |
| ·薄膜的组分表征 | 第41-43页 |
| ·薄膜的形貌表征 | 第43-45页 |
| ·薄膜的硬度测试 | 第45-46页 |
| ·Si-DLC薄膜的摩擦学性能 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5. CH4流量对Si-DLC膜结构和性能的影响 | 第50-56页 |
| ·薄膜的沉积速率 | 第50-51页 |
| ·薄膜的化学结构表征 | 第51-52页 |
| ·薄膜的形貌分析 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 6. 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 在读期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |