| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·GaN材料的研究意义 | 第11-12页 |
| ·GaN的基本性质 | 第12-17页 |
| ·GaN材料的研究进展 | 第17-25页 |
| ·本论文的选题依据 | 第25-27页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第27-32页 |
| ·试验设备介绍 | 第27-29页 |
| ·实验材料 | 第29页 |
| ·样品的测试和表征 | 第29-32页 |
| 第三章 磁控溅射Ga_2O_3／Al_2O_3膜反应自组装制备GaN薄膜的研究 | 第32-50页 |
| ·样品的制备 | 第32-33页 |
| ·GaN薄膜的结构和成分 | 第33-36页 |
| ·缓冲层厚度对GaN薄膜性质的影响 | 第36-39页 |
| ·氨化温度对GaN薄膜性质的影响 | 第39-41页 |
| ·氨化时间对GaN晶体的影响 | 第41-43页 |
| ·一维GaN纳米线的研究 | 第43-46页 |
| ·GaN薄膜的发光特性研究 | 第46-50页 |
| 第四章 热壁CVD法制备GaN薄膜的研究 | 第50-61页 |
| ·样品的制备 | 第50-51页 |
| ·样品的结构和成分 | 第51-54页 |
| ·热壁CVD法Si_3N_4纳米管的制备和分析 | 第54-58页 |
| ·高质量GaN粉末的制备和分析 | 第58-61页 |
| 第五章 全文总结 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-73页 |
| 论文作者在学期间发表的学术论文目录 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |