| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-20页 |
| §1.1 表面等离子体光学概要 | 第6-12页 |
| §1.1.1 表面等离子体激元(Surface Plasmon Polarization,SPP) | 第7-9页 |
| §1.1.2 局域化的表面等离子体 | 第9页 |
| §1.1.3 表面等离子体的激发 | 第9-11页 |
| §1.1.4 扫描近场光学显微镜(SNOM) | 第11-12页 |
| §1.2 表面等离子体晶体 | 第12-17页 |
| §1.2.1 表面等离子体晶体中SPP的激发 | 第12-14页 |
| §1.2.2 金属薄膜上亚波长周期性孔阵的透射增强效应 | 第14-17页 |
| §1.3 表面等离子体晶体在半导体光电器件中的应用前景 | 第17-20页 |
| 第二章 亚波长孔阵的结构设计 | 第20-32页 |
| §2.1 FDTD算法概要与Drude模型 | 第20-27页 |
| §2.1.1 FDTD算法概要 | 第20-24页 |
| §2.1.2 Drude模型 | 第24-26页 |
| §2.1.3 Fullwave中色散材料参数设置: | 第26-27页 |
| §2.2 亚波长周期性孔阵的结构设计及集成到光电器件的可能 | 第27-32页 |
| §2.2.1 亚波长孔阵的结构设计 | 第28-30页 |
| §2.2.2 制作周期性孔阵的金属膜材料选择 | 第30-32页 |
| 第三章 表面等离子体晶体透射增强效应的研究 | 第32-42页 |
| §3.1 亚波长周期性孔阵的数字模型与透射情况的模拟 | 第33-39页 |
| §3.1.1 亚波长周期性孔阵结构的优化 | 第34-35页 |
| §3.1.2 亚波长周期性孔阵的透射增强效应 | 第35-39页 |
| §3.2 金属光栅上的表面等离子体增强作用 | 第39-42页 |
| 第四章 表面等离子体晶体增强的垂直腔面发射激光器的研制 | 第42-52页 |
| §4.1 980nmVCSEL简介 | 第42页 |
| §4.2 亚波长周期性孔阵增强底部发射980nm VCSEL制作工艺 | 第42-46页 |
| §4.3 器件制作关键工艺的研究 | 第46-52页 |
| §4.3.1 湿法腐蚀工艺 | 第46-48页 |
| §4.3.2 湿氮氧化工艺 | 第48-52页 |
| 第五章 聚焦离子束刻蚀在表面等离子体晶体制作中的应用 | 第52-59页 |
| §5.1 聚焦离子束系统介绍与刻蚀原理 | 第52-54页 |
| §5.2 刻蚀工艺参数的研究情况 | 第54-59页 |
| §5.2.1 制作孔阵的理想参数 | 第54页 |
| §5.2.2 刻蚀深度的确定 | 第54-56页 |
| §5.2.3 刻蚀离子束束流的选择 | 第56-59页 |
| 第六章 结论与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
