纳米尺度MOS器件的量子模拟方法研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 常用符号对照表 | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第12-25页 |
| ·课题的意义及目标 | 第12-17页 |
| ·半导体器件的演进回顾 | 第12-15页 |
| ·计算电子学的意义 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要目标 | 第16-17页 |
| ·量子计算电子学方法介绍 | 第17-21页 |
| ·半导体器件模拟方法 | 第17-19页 |
| ·量子模拟方法概述 | 第19-21页 |
| ·研究载体的选取 | 第21页 |
| ·国内外研究进展 | 第21-23页 |
| ·论文内容安排 | 第23-25页 |
| 2 量子模拟流程及其改进 | 第25-55页 |
| ·典输运理论 | 第25-29页 |
| ·电子能带结构 | 第25-26页 |
| ·经典散射输运模型 | 第26-28页 |
| ·经典弹道输运模型 | 第28-29页 |
| ·体硅MOSFET的一维量子模拟 | 第29-34页 |
| ·双栅MOSFET的准二维量子模拟 | 第34-41页 |
| ·泊松方程的差分实现 | 第35-38页 |
| ·从薛定谔方程到格林函数 | 第38-41页 |
| ·快速解算流程及其改进 | 第41-54页 |
| ·预估-矫正法 | 第42-46页 |
| ·Anderson混合法加速的预估-矫正法 | 第46-48页 |
| ·算法效率比较 | 第48-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 3 双栅MOSFET的二维量子模拟 | 第55-80页 |
| ·物理模型与数值模拟 | 第55-60页 |
| ·二维哈密尔顿量的差分实现 | 第57-58页 |
| ·开放边界条件的自能计算 | 第58-59页 |
| ·格林函数法求解载流子密度和电流密度 | 第59-60页 |
| ·递归格林函数法(RGF) | 第60-67页 |
| ·数值计算结果与讨论 | 第67-79页 |
| ·与模空间方法的比较 | 第68-72页 |
| ·栅极漏电流 | 第72-74页 |
| ·电介质对器件性能的影响 | 第74-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 4 格林函数快速解算方法比较 | 第80-100页 |
| ·电极块约简法(CBR) | 第81-86页 |
| ·对格林函数高阶项的研究 | 第86-94页 |
| ·RGF与CBR对比的参照基准的定标 | 第87-89页 |
| ·高阶项对栅极电流的影响 | 第89-94页 |
| ·CBR方法与RGF方法的比较 | 第94-98页 |
| ·电流连续性比较 | 第94-98页 |
| ·效率和适用性比较 | 第98页 |
| ·小结 | 第98-100页 |
| 5 总结和展望 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-108页 |
| 攻博期间科研成果 | 第108-109页 |
| 后记 | 第109-110页 |
